가스 분포판

반음 가스 분포판은 고급 플라즈마 에칭 시스템, 특히 정밀, 균일 성 및 오염 제어가 가장 중요한 반도체 제조에서 중요한 역할을합니다. 고급 화학 증기 증착 실리콘 카바이드에서 조작 된 가스 분포판 (가스 분포판) (CVD SIC), 현대식 드라이 에칭 프로세스의 엄격한 요구를 충족하도록 설계되었습니다.

에칭 공정 동안, 웨이퍼 표면을 가로 질러 일관된 혈장 분포를 보장하기 위해 제어되고 균일 한 방식으로 반응성 가스를 챔버에 도입해야한다. 가스 분포판은 전략적으로 웨이퍼 위에 위치하고 이중 기능을 제공합니다. 먼저 프로세스 가스를 사전 사전으로 전달 한 다음 일련의 미세하게 조정 된 채널과 조리개를 전극 시스템으로 향하게합니다. 이 정확한 가스 전달은 전체 웨이퍼에 걸쳐 균일 한 혈장 특성과 일관된 에칭 속도를 달성하는 데 필수적입니다.

반응성 가스의 주입 방법을 최적화함으로써 에칭 균일 성을 더욱 향상시킬 수 있습니다.

• 알루미늄 에칭 챔버 : 반응성 가스는 일반적으로 웨이퍼 위에 위치한 샤워 헤드를 통해 전달됩니다.

• 실리콘 에칭 챔버 : 처음에, 가스는 웨이퍼의 주변으로부터 주입 된 다음, 웨이퍼의 중심 위에서 균일 성을 개선하기 위해 점차적으로 진화시켰다.

샤워 헤드라고도하는 가스 분포판은 반도체 제조 공정에 널리 사용되는 가스 분포 장치입니다. 주로 반응 챔버에 가스를 균등하게 분배하여 반응 과정에서 반도체 재료를 가스와 균일하게 접촉하여 생산 효율 및 제품 품질을 향상시키는 데 사용됩니다. 이 제품은 높은 정밀, 높은 청결성 및 다중 복합 표면 처리 (예 : 샌드 블라스팅/양극화/브러시 니켈 도금/전해 연마 등)의 특성을 갖습니다. 가스 분포 플레이트는 반응 챔버에 위치하고 웨이퍼 반응 환경을위한 균일하게 증착 된 가스 필름 층을 제공한다. 웨이퍼 생산의 핵심 구성 요소입니다.

웨이퍼 반응 공정 동안, 가스 분포 플레이트의 표면은 미세 기공 (조리개 0.2-6 mm)으로 조밀하게 덮여있다. 정확하게 설계된 기공 구조 및 가스 경로를 통해 특수 공정 가스는 균일 한 가스 플레이트의 수천 개의 작은 구멍을 통과 한 다음 웨이퍼 표면에 균등하게 증착해야합니다. 웨이퍼의 다른 영역에있는 필름 층은 높은 균일 성과 일관성을 보장해야합니다. 따라서, 청결 및 부식성에 대한 매우 높은 요구 사항 외에도 가스 분포판은 균일 한 가스 플레이트의 작은 구멍의 조리개의 일관성과 작은 구멍의 내벽에있는 버를 엄격한 요구 사항을 갖습니다. 조리개 크기 공차 및 일관성 표준 편차가 너무 크거나 내벽에 버가있는 경우, 증착 된 필름 층의 두께는 일관성이 없어 장비 공정 수율에 직접적인 영향을 미칩니다. 플라즈마 보조 공정 (예 : PECVD 및 건식 에칭)에서, 전극의 일부로 샤워 헤드는 혈장의 균일 한 분포를 촉진하여 에칭 또는 증착의 균일 성을 개선하기 위해 RF 전원 공급 장치를 통해 균일 한 전기장을 생성합니다.

우리의CVD SIC가스 분포 플레이트는 반도체 제조, MEMS 처리 및 고급 포장에 사용되는 광범위한 플라즈마 에칭 플랫폼에 적합합니다. 치수, 구멍 패턴 및 표면 마감을 포함한 특정 도구 요구 사항을 충족하도록 맞춤 설계를 개발할 수 있습니다.

CVD SIC로 만든 반음 가스 분포판은 현대 플라즈마 에칭 시스템에서 중요한 구성 요소로, 탁월한 가스 전달 성능, 뛰어난 재료 내구성 및 최소 오염 위험을 제공합니다. 그것의 사용은 더 높은 공정 수율, 결함이 높고 도구 가동 시간이 길어지면 최첨단 반도체 제조를위한 신뢰할 수있는 선택이됩니다.