Semicorex는 반도체 업계에서 신뢰할 수 있는 이름으로 반도체용 고품질 MOCVD Planet Susceptor를 제공합니다. 당사의 제품은 뛰어난 성능, 안정성 및 내구성을 제공할 수 있는 캐리어를 찾는 반도체 제조업체의 특정 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 지금 당사에 연락하여 당사 제품에 대해 자세히 알아보고 귀사의 반도체 제조 요구 사항에 어떻게 도움을 드릴 수 있는지 알아보십시오.
당사의 반도체용 MOCVD 플래닛 서셉터는 고온 내산화성을 특징으로 하여 최대 1600°C의 고온에서 안정성을 보장합니다. 또한 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 만들어지는 고순도 제품으로 열 프로필 및 층류 가스 흐름 패턴에서도 제품의 균일성과 일관성을 보장합니다.
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반도체용 MOCVD Planet Suceptor의 파라미터
CVD-SIC 코팅의 주요 사양 |
||
SiC-CVD 속성 |
||
결정 구조 |
FCC β 단계 |
|
밀도 |
g/cm ³ |
3.21 |
경도 |
비커스 경도 |
2500 |
입자 크기 |
μm |
2~10 |
화학적 순도 |
% |
99.99995 |
열용량 |
J·kg-1·K-1 |
640 |
승화 온도 |
℃ |
2700 |
쇠약한 힘 |
MPa(RT 4점) |
415 |
영률 |
GPA (4pt 굽힘, 1300â) |
430 |
열팽창(C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
열 전도성 |
(W/mK) |
300 |
MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 특징
- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.
- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지