반도체 산업용 Semicorex MOCVD 웨이퍼 캐리어는 반도체 산업용으로 설계된 최고급 캐리어입니다. 고순도 소재는 균일한 열 프로필과 층류 가스 흐름 패턴을 보장하여 고품질 웨이퍼를 제공합니다.
당사의 반도체 산업용 MOCVD 웨이퍼 캐리어는 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 제조되어 제품의 균일성과 일관성을 보장하는 순도가 높습니다. 또한 표면이 치밀하고 입자가 미세하여 내식성이 뛰어나 산, 알칼리, 염분, 유기 시약에 대한 저항력이 뛰어납니다. 고온 내산화성은 최대 1600°C의 고온에서도 안정성을 보장합니다.
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반도체 산업용 MOCVD 웨이퍼 캐리어의 매개변수
CVD-SIC 코팅 주요 사양 |
||
SiC-CVD 속성 |
||
결정 구조 |
FCC β상 |
|
밀도 |
g/cm ³ |
3.21 |
경도 |
비커스 경도 |
2500 |
입자 크기 |
μm |
2~10 |
화학적 순도 |
% |
99.99995 |
열용량 |
Jkg-1 K-1 |
640 |
승화 온도 |
℃ |
2700 |
굽힘 강도 |
MPa(RT 4점) |
415 |
영률 |
Gpa (4pt 굴곡, 1300℃) |
430 |
열팽창(C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
열전도율 |
(W/mK) |
300 |
MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 특징
- 벗겨짐을 방지하고 모든 표면에 코팅을 보장합니다.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세한 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.
- 최상의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지