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단결정 실리콘 웨이퍼 서셉터

단결정 실리콘 웨이퍼 서셉터

Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor는 흑연 에피택시 및 웨이퍼 처리 공정에 이상적인 솔루션입니다. 당사의 초순수 제품은 최소한의 오염과 뛰어난 수명 성능을 보장하여 많은 유럽 및 미국 시장에서 인기 있는 선택입니다. 중국 반도체 웨이퍼 캐리어의 선두 공급업체로서 당사는 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

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제품 설명

당사의 Monocrystalline Silicon epitaxial Susceptor는 내열성 및 내식성이 우수한 고순도 SiC를 코팅한 흑연 제품입니다. CVD 실리콘 카바이드 코팅 캐리어는 반도체 웨이퍼에 에피택시층을 형성하는 공정에 사용됩니다. 효율적이고 정밀한 반도체 제조 공정에 필수적인 높은 열전도율과 우수한 열분산 특성을 가지고 있습니다.
Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor의 주요 특징 중 하나는 탁월한 밀도입니다. 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층은 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다. 단결정 성장에 사용되는 탄화규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높아 고품질 웨이퍼 생산을 유지하는 데 필수적입니다.
우리 제품의 또 다른 중요한 특징은 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이는 능력입니다. 이는 접합 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다. 또한 흑연 기판과 탄화규소 층 모두 열전도율이 높고 열 분산 특성이 우수하여 제조 공정 중에 열이 고르게 분산되도록 합니다.
당사의 Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor는 또한 고온 산화 및 부식에 강하여 신뢰할 수 있고 내구성 있는 제품입니다. 녹는점이 높아 효율적인 반도체 제조에 필요한 고온 환경을 견딜 수 있습니다.
결론적으로 Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor는 흑연 에피택시 및 웨이퍼 처리 공정을 위한 초순도, 내구성 및 신뢰할 수 있는 솔루션입니다. 밀도, 표면 평탄도 및 열전도율이 우수하여 고온 및 부식성 환경에서 사용하기에 이상적입니다. 우리는 경쟁력 있는 가격으로 고품질 제품을 제공하는 데 자부심을 갖고 있으며 모든 반도체 웨이퍼 캐리어 요구 사항에 대해 귀하와 협력하기를 기대합니다.


단결정 실리콘 웨이퍼 서셉터의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


단결정 실리콘 웨이퍼 서셉터의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.
- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지




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