위성 판

Semicorex 위성 판은 에피 택셜 성장 공정 동안 중요한 웨이퍼 캐리어로 균일 한 증착 및 최적의 공정 효율을 보장합니다. 고급 흑연으로 구축되고 강력한 실리콘 카바이드 (SIC) 층으로 코팅 된이 플레이트는 탁월한 열 안정성, 화학적 저항 및 기계적 강도를 제공하여 고성능 반도체 제조에서 없어서는 안될 구성 요소로서의 위치를 ​​확고히합니다.

고급 흑연베이스를 사용하여 위성 플레이트는 열전도율과 구조적 무결성이 뛰어납니다. 그만큼SIC 코팅내구성을 크게 높여 고온 저항성, 화학적 불활성 및 입자 생성을 극적으로 감소시킵니다. 이 강력한 조합은 플레이트가 가혹한 처리 조건을 견뎌내면서 지속적으로 높은 수준에서 성능을 유지하도록합니다. 흑연베이스는 효율적인 열 전달을 용이하게하여 웨이퍼를 가로 질러 균일 한 온도 분포를 보장하는 반면, SIC 코팅은 부식성 공정 가스로부터 보호하여 오염을 방지하고 서비스 수명을 확장합니다. 또한, SiC 표면은 입자 방출을 최소화하는데, 이는 고수익 반도체 제조를 달성하는 데 중요합니다.

Aixtron G5+ 시스템과 완벽한 통합을 위해 특별히 설계된 위성 판은 안정적인 열 조건을 유지하고 결함 속도를 줄이는 데 필수적인 정확한 웨이퍼 포지셔닝 및 회전 균형을 보장합니다. 플레이트의 고급 재료 구성은 서비스 수명을 연장 할뿐만 아니라 운영 비용을 크게 낮추고 제조 생산성을 향상시킵니다.

금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 공정에 주로 사용되는 위성 플레이트는 반도체 웨이퍼에서 에피 택셜 층을 성장시키는 데 중요합니다. LED, SIC 및 GAN 기반 전력 전자 장치, Photonic 및 Optoelectronic 구성 요소, 고주파 RF 장치를 포함한 고급 반도체 장치 생산에 중요한 역할을합니다. 위성 플레이트는 안정적인 열 조건을 보장하고 오염을 최소화함으로써 일관된 에피 택셜 층 성장을 보장하여 웨이퍼 취급 및 더 높은 수율 속도를 향상시킵니다. 최적화 된 설계는 웨이퍼지지를 효율적으로 보호하여 반도체 처리 단계에서 결함을 줄이고 정밀도를 보장합니다.

Semicorex 위성 플레이트는 Aixtron G5+ 에피 택시 반응기의 필수 구성 요소 역할을하며, 비교할 수없는 내구성, 화학 저항 및 열 성능을 제공합니다. 최첨단 재료 구성 및 엔지니어링은 반도체 제조 공정에 중요하여 고수익 및 고품질 웨이퍼의 생산을 보장합니다. 위성 판에 투자하여 반도체 제조를 높이고 에피 택셜 성장 공정에서 우수성을 달성하십시오.