저희 공장에서 MOCVD 장비용 반도체 웨이퍼 캐리어를 구입하시면 안심하실 수 있습니다. 반도체 웨이퍼 캐리어는 MOCVD 장비의 필수 구성 요소입니다. 제조 공정 중 반도체 웨이퍼를 운반하고 보호하는 데 사용됩니다. MOCVD 장비용 반도체 웨이퍼 캐리어는 고순도 재료로 만들어지며 처리 중에 웨이퍼의 무결성을 유지하도록 설계되었습니다.
MOCVD 장비용 반도체 웨이퍼 캐리어는 반도체 제조 공정의 필수 구성 요소입니다. CVD 공법으로 탄화규소 코팅을 한 고순도 흑연으로 제작되었으며, 다수의 웨이퍼를 수용할 수 있도록 설계되었습니다. 캐리어는 수율 향상, 생산성 향상, 오염 감소, 안전성 향상, 비용 효율성 등 여러 가지 이점을 제공합니다. MOCVD 장비를 위한 신뢰할 수 있는 고품질 반도체 웨이퍼 캐리어를 찾고 있다면 당사 제품이 완벽한 솔루션입니다.
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MOCVD 장비용 반도체 웨이퍼 캐리어의 매개변수
CVD-SIC 코팅 주요 사양 |
||
SiC-CVD 속성 |
||
결정 구조 |
FCC β상 |
|
밀도 |
g/cm ³ |
3.21 |
경도 |
비커스 경도 |
2500 |
입자 크기 |
μm |
2~10 |
화학적 순도 |
% |
99.99995 |
열용량 |
Jkg-1 K-1 |
640 |
승화 온도 |
℃ |
2700 |
굽힘 강도 |
MPa(RT 4점) |
415 |
영률 |
Gpa (4pt 굴곡, 1300℃) |
430 |
열팽창(C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
열전도율 |
(W/mK) |
300 |
MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 특징
- 벗겨짐을 방지하고 모든 표면에 코팅을 보장합니다.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세한 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.
- 최상의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지