SiC ALD 수용체

세미코렉스의 장점SiC ALD 수용체:

고온 안정성:SiC ALD 서셉터는 높은 온도(최대 1600°C)에서도 구조적 무결성을 유지하므로 고온 ALD 공정을 통해 전기적 특성이 개선된 밀도가 높은 필름을 만들 수 있습니다.

화학적 불활성:SiC ALD 서셉터는 ALD에 사용되는 광범위한 화학 물질 및 전구체에 대한 탁월한 저항성을 나타내어 오염 위험을 최소화하고 일관된 필름 품질을 보장합니다.

균일한 온도 분포:SiC ALD 서셉터의 높은 열 전도성은 서셉터 표면 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 촉진하여 균일한 필름 증착과 향상된 장치 성능을 제공합니다.

낮은 가스 방출:SiC는 가스 방출 특성이 낮아 고온에서 불순물을 최소한으로 방출합니다. 이는 깨끗한 처리 환경을 유지하고 증착된 필름의 오염을 방지하는 데 중요합니다.

플라즈마 저항:SiC는 플라즈마 에칭에 대한 저항성이 우수하여 PEALD(플라즈마 강화 ALD) 공정과 호환됩니다.

긴 수명:SiC ALD 서셉터의 내구성과 내마모성은 서셉터의 수명을 연장시켜 빈번한 교체 필요성을 줄이고 전반적인 운영 비용을 낮춰줍니다.

ALD와 CVD의 비교:

ALD(원자층 증착)와 CVD(화학 기상 증착)는 둘 다 서로 다른 특성을 지닌 널리 사용되는 박막 증착 기술입니다. 특정 응용 분야에 가장 적합한 방법을 선택하려면 차이점을 이해하는 것이 중요합니다.

ALD 대 CVD

ALD의 주요 장점:

탁월한 두께 제어 및 균일성:원자 수준의 정밀도와 복잡한 형상에 대한 컨포멀 코팅이 필요한 응용 분야에 이상적입니다.

저온 처리:온도에 민감한 기판에 증착이 가능하고 재료 선택 폭이 더 넓습니다.

높은 필름 품질:불순물이 적고 조밀하고 핀홀이 없는 필름이 생성됩니다.

CVD의 주요 장점:

더 높은 증착 속도:더 빠른 증착 속도와 더 두꺼운 필름이 필요한 응용 분야에 적합합니다.

저렴한 비용:넓은 면적의 증착 및 덜 까다로운 응용 분야에 더욱 비용 효율적입니다.

다재:금속, 반도체, 절연체 등 다양한 재료를 증착할 수 있습니다.

박막 증착 방법 비교