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MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어

MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어

저희 공장에서 MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어를 구입하시면 안심하실 수 있습니다. Semicorex는 중국의 SiC Coated Graphite Susceptor의 대규모 제조업체이자 공급업체입니다. 우리 제품은 좋은 가격 이점을 가지고 있으며 많은 유럽 및 미국 시장을 다루고 있습니다. 우리는 고객의 특정 요구 사항을 충족하는 고품질 제품을 고객에게 제공하기 위해 노력합니다. 당사의 MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어는 반도체 제조 공정을 위한 고성능 캐리어를 찾는 사람들에게 탁월한 선택입니다.

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제품 설명

MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어는 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 합니다. 당사 제품은 극한 환경에서도 매우 안정적이어서 고품질 웨이퍼 생산에 탁월한 선택입니다.
MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어의 특징은 뛰어납니다. 치밀한 표면과 미세한 입자는 내식성을 향상시켜 산, 알칼리, 염 및 유기 시약에 대한 내성을 만듭니다. 캐리어는 균일한 열 프로필을 보장하고 최상의 층류 가스 흐름 패턴을 보장하여 오염이나 불순물이 웨이퍼로 확산되는 것을 방지합니다.


MOCVD용 SiC 코팅 흑연 기판 웨이퍼 캐리어의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.
- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지




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