SiC 에피웨이퍼 서셉터

에피택셜 성장을 통해 이상적인 재료 특성을 확립하지 않으면 전기 자동차(EV) 및 5G 혁명에 필수적인 WBG(와이드 밴드갭) 반도체를 제조할 수 없습니다. Semicorex SiC 에피웨이퍼 서셉터는 SiC 및 GaN 에피택시를 위한 기초(열/구조)로 사용하도록 설계되었습니다. 의 조합등방성 흑연(뛰어난 열전도율) CVD(Chemical Vapor Deposited) 실리콘 카바이드(극한의 화학적 저항성)를 사용하여 가능한 최고의 수율과 반복성을 허용하는 프로세스 키트를 달성합니다.

"완벽한" 열 환경 엔지니어링

반응성 및 부식성 전구체 가스로 포화된 분위기에서 적절한 에피택시 성장 온도(1,500°C 이상)를 달성하기 위해 기존 흑연 캐리어는 노출 시 품질이 저하되어 웨이퍼를 오염시킵니다. 그러나 Semicorex가 개발한 SiC 에피웨이퍼 서셉터는 고급 재료 통합을 통해 수천 시간의 공정 시간 동안 안정적인 기반을 갖춘 에피택시 공정을 제공하는 솔루션을 달성했습니다.

1. 우수한 열 균일성

서셉터의 주요 역할은 열 확산기 역할을 하는 것입니다. 당사의 고순도 등방성 흑연 코어는 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 균일한 열장을 제공합니다. 이는 에피층 두께와 도핑 농도의 변화를 일으키는 "핫스팟"을 최소화합니다. RDS(on) 일관성이 가장 중요한 전력 전자 분야에서 당사의 서셉터는 서브미크론 균일성에 필요한 열 정밀도를 제공합니다.

2. 밀폐형 CVD SiC 캡슐화

우리는 최첨단 CVD 공정을 활용하여 조밀하고 초순수한 탄화규소 코팅을 적용합니다. 이 층은 단순한 덮개가 아닙니다. 그것은 밀봉 씰입니다.

입자 억제: 코팅은 흑연 기판이 붕소나 금속 흔적과 같은 불순물을 반응 챔버로 "분진"하거나 가스 방출하는 것을 방지합니다.

화학적 불활성: 우리의SiC 코팅MOCVD 및 SiC 에피택시 반응기에서 흔히 발생하는 H2, HCl 및 암모니아(NH3) 에칭에 영향을 받지 않습니다.

3. 정밀한 CTE 매칭

코팅된 하드웨어의 가장 일반적인 실패 지점 중 하나는 열 순환으로 인한 박리입니다. 우리는 열팽창계수(CTE)가 완벽하게 동기화된 흑연 등급을 특별히 선택합니다.SiC 코팅. 이러한 "확장 조화"를 통해 SiC 에피웨이퍼 서셉터는 균열이나 벗겨짐 없이 빠른 램프 업 및 램프 다운 사이클을 견딜 수 있어 구성 요소의 서비스 수명을 업계 표준 대안에 비해 최대 300%까지 연장할 수 있습니다.

글로벌 원자로 플랫폼에 최적화됨

우리 엔지니어링 팀은 수평 및 수직 반응기 구성을 위한 서셉터 설계에 대한 광범위한 경험을 보유하고 있습니다. 우리는 업계 최고의 OEM 시스템(AIXTRON, Veeco 및 Tokyo Electron 플랫폼 포함)을 위한 드롭인 교체 및 맞춤형 엔지니어링 솔루션을 제공합니다.

유성 반응기를 실행하든 단일 웨이퍼 도구를 실행하든 당사의 서셉터는 다음에 최적화되어 있습니다.

가스 흐름 역학:웨이퍼 전체에 층류 흐름을 보장하기 위해 정밀하게 가공된 포켓.

웨이퍼 회전:성장 중 안정적인 고속 회전을 위해 최적화된 무게 대 마찰 비율.

자동화된 처리:로봇식 웨이퍼 이송의 기계적 응력을 견딜 수 있도록 가장자리가 강화되었습니다.