SIC 에피 택셜 모듈

프리미엄 등급으로 제작 된 Sicorex SIC 에피 택셜 모듈은 SIC (Silicon Carbide) 에피 택시 프로세스의 가장 어려운 요소를 견딜 수 있도록 개발 된 에피 택셜 장비의 일부입니다. 화학 증기 증착 (CVD) 응용 분야의 고온을위한이 모듈은 고품질 SIC의 에피 탁상 성장 동안 웨이퍼에 대한 안정성과지지를 입증하는 데 중요한 구성 요소입니다. Semicorex SIC 모듈은 품질 SIC 사양과 일치하는 에피 택셜 재료의 신뢰할 수 있고 반복 가능한 생산을위한 효과적인 기본 재료입니다.

반음 SIC 모듈은 실리콘 카바이드 도금의 밀도가 높고 균일 한 층으로 덮인 흑연 기판이며, 가장 심한 공정 화학에서도 입자 오염 및 부식에 내성이있다. SIC 코팅은 기본 흑연의 오염 및 침식을 금지하고 최대 1600 ° C의 실질적인 기계적지지 및 보호를 제공합니다. SIC 모듈은 흑연의 강도와 가공성을 실리콘 카바이드의 전체 마모, 부식 및 화학적 저항성 특성과 결합하여 가혹한 에피 택셜 대기에서 내구성 측면에서 가장 적합합니다.

이 모듈은 열 사이클링 공정에서 치수 변화를 최소화하면서 균일 한 열 프로파일을 제공하도록 설계되었습니다. 이 열 균일 성과 안정성은 웨이퍼 평탄도 및 에피 택시 균일 성을 유지하는 데 필수적입니다. 웨이퍼가 열전도율이 높은 안정적인 위치를 유지하는 경우, 가공 중 웨이퍼의 열 조건은 균일하여 수율, 결정 품질 및 부품 고장 또는 오염과 관련된 다운 타임에 긍정적 인 영향을 미칩니다.

SIC 에피 택셜 모듈은 핫 벽 및 콜드 벽을 포함한 여러 에피 택셜 반응기와 호환되며 특정 원자로 레이아웃 및 고객 요구를 수용하기 위해 형성 및 치수에 맞게 사용자 정의 할 수있는 옵션이 있습니다. SIC 에피 택셜 모듈은 4 인치, 6 인치 및 새로운 8 인치 SIC 에피 택시 응용에 적합하지만 이에 국한되지는 않습니다. SIC 에피 택셜 모듈의 고순도 및 최적화 된 기하학으로 인해, 에피 택셜 층의보다 제어 된 성장을 지원하는 가스 흐름 역학 및 열 구배에 미치는 영향에서 물리적 간섭이 최소화된다.

Semicorex의 SIC 에피 택셜 모듈은 편심 어셈블리에서 최고 품질의 제어 조각을 나타냅니다. 고품질 제어 프로토콜 외에도 Semicorex는 최신 코팅 방법을 활용하여 균일하고 밀도가 높고 저지방 SIC 필름을 적용합니다. Semicorex는 고성능 세라믹 코팅과 흑연 가공의 오랜 역사를 가지고 있으며, 가능한 최고의 제품 수명, 일관성 및 배치에서 배치에 이르기까지 최상의 제품 수명, 일관성 및 프로세스 안정성을 제공하는 프로세스 이점을 식별합니다.

재료 품질이 장치 성능에 직접적인 영향을 미치는 빠르게 진화하는 SIC 전원 장치 분야에서 에피 택셜 모듈은 소모품 일뿐 만 아니라 중요한 인 에이 블러입니다. Semicorex의 SIC 코팅 흑연 에피 택셜 모듈은 SIC 에피 택시의 효율성, 수율 및 비용 효율성의 한계를 높이고 자하는 고객에게 강력하고 신뢰할 수있는 솔루션을 제공합니다.