SiC 웨이퍼 트레이

MOCVD 장치의 핵심 요소인 Semicorex SiC 웨이퍼 트레이는 단결정 기판을 고정하고 열적으로 관리합니다. 뛰어난 열 안정성과 균일성, 부식 억제 등 탁월한 성능 특성은 에피택셜 재료의 고품질 성장에 매우 중요합니다. 이러한 특성은 박막 레이어의 일관된 균일성과 순도를 보장합니다.

SiC 코팅으로 강화된 SiC 웨이퍼 트레이는 열 전도성을 크게 향상시켜 균일한 에피택셜 성장에 필수적인 빠르고 균일한 열 분배를 촉진합니다. 열을 효율적으로 흡수하고 방출하는 SiC 웨이퍼 트레이의 능력은 박막의 정확한 증착에 필수적인 안정적이고 일관된 온도를 유지합니다. 이러한 균일한 온도 분포는 고급 반도체 장치의 성능에 필수적인 고품질 에피택셜 층을 생산하는 데 중요합니다.

SiC 웨이퍼 트레이의 안정적인 성능과 수명은 교체 빈도를 줄여 가동 중단 시간과 유지 관리 비용을 최소화합니다. 견고한 구조와 우수한 운영 능력으로 공정 효율성을 높여 반도체 제조의 생산성과 비용 효율성을 높입니다.

또한 Semicorex SiC 웨이퍼 트레이는 고온에서 산화 및 부식에 대한 탁월한 저항성을 나타내어 내구성과 신뢰성을 더욱 보장합니다. 상당한 융점으로 표시되는 높은 열 내구성으로 인해 반도체 제조 공정에 내재된 엄격한 열 조건을 견딜 수 있습니다.