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실리콘 카바이드 흑연 기판 MOCVD 서셉터

실리콘 카바이드 흑연 기판 MOCVD 서셉터

Semicorex 실리콘 카바이드 흑연 기판 MOCVD 서셉터는 우수한 성능과 내구성을 제공할 수 있는 고품질 캐리어를 찾는 반도체 제조업체를 위한 최고의 선택입니다. 고급 소재는 균일한 열 프로파일과 층류 가스 흐름 패턴을 보장하여 고품질 웨이퍼를 제공합니다.

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제품 설명

당사의 Silicon Carbide Graphite Substrate MOCVD Susceptor는 고순도이며 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 제작되어 제품의 균일성과 일관성을 보장합니다. 또한 표면이 조밀하고 입자가 미세하여 내식성이 뛰어나 산, 알칼리, 염 및 유기 시약에 내성이 있습니다. 고온 내산화성은 최대 1600°C의 고온에서 안정성을 보장합니다.
실리콘 카바이드 흑연 기판 MOCVD 서셉터에 대해 자세히 알아보려면 지금 당사에 문의하십시오.


실리콘 카바이드 흑연 기판 MOCVD Susceptor의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.
고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적
고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.
내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.
내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.
- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성
- 열 프로파일의 균일성 보장
- 오염이나 불순물 확산 방지




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