리시버 플레이트

Semicorex 서셉터 플레이트는 에피택셜 성장 공정의 중요한 구성 요소로, 특히 박막이나 층을 증착하는 동안 반도체 웨이퍼를 운반하도록 설계되었습니다. MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착)의 맥락에서 이러한 플레이트는 특히 고온을 견딜 수 있고 에피택셜 층 성장을 위한 안정적인 표면을 제공할 수 있는 재료로 제작됩니다.

이 공정에 사용되는 서셉터 플레이트는 MOCVD 공정 자체를 통해 탄화규소(SiC)로 코팅된 흑연으로 구성됩니다. 실리콘 카바이드는 탁월한 열 안정성, 기계적 강도 및 화학 반응에 대한 저항성을 제공하므로 까다로운 에피택시 성장 조건에 이상적인 선택입니다.

MOCVD 공정에서 Susceptor Plate는 반도체 웨이퍼에 열을 효과적으로 전달하는 중추적인 역할을 합니다. 플레이트는 주변 환경으로부터 에너지를 흡수하여 웨이퍼 쪽으로 방출하여 웨이퍼 표면에 얇은 필름을 제어하여 증착하는 것을 용이하게 합니다. 이러한 정밀한 온도 제어는 첨단 반도체 장치 생산에 중요한 균일하고 고품질의 에피택셜 층을 달성하는 데 필수적입니다.

SiC 코팅 흑연으로 구성된 MOCVD 공정의 서셉터 플레이트는 반도체 웨이퍼를 지지하고 최적의 열 전달을 보장하며 반도체 응용 분야에 원하는 특성을 가진 박막의 성공적인 에피택셜 성장에 기여하는 안정적인 플랫폼 역할을 합니다.