반도체 수신기

고품질 흑연으로 제작된 Susceptor Semiconductor는 최적의 열 전도성을 보장하여 웨이퍼 에피택셜 공정을 위한 안정적이고 신뢰할 수 있는 환경을 제공합니다.

서셉터 반도체는 화학 기상 증착(CVD) 실리콘 카바이드(SiC) 코팅으로 강화되어 내구성과 극한 온도에 대한 저항력이 향상되었습니다. 이 고급 코팅은 가장 까다로운 가열로 환경에서도 일관된 성능을 보장합니다.

흑연과 CVD SiC의 조합은 효율적인 열 분배를 보장하고 웨이퍼 표면 전체의 온도 변화를 최소화합니다. 이는 균일한 에피택셜 성장으로 이어져 궁극적으로 반도체 장치의 품질과 수율을 향상시킵니다.

Susceptor Semiconductor는 다양한 용해로 시스템에 원활하게 통합되도록 설계되어 다양한 제조 설정에 대한 다양성과 적응성을 제공합니다. 다양한 반도체 제조 환경에서 쉽게 설치하고 안정적으로 작동할 수 있도록 설계되었습니다.

웨이퍼 에피택셜 공정을 위해 특별히 설계된 이 서셉터 반도체는 용광로 내에서 웨이퍼를 안전하게 운반하는 데 탁월합니다. 견고한 구조로 인해 안전한 웨이퍼 배치가 보장되며 에피택셜 성장 단계에서 손상 위험이 최소화됩니다.

SiC 코팅과 결합된 내구성이 뛰어난 흑연 코어는 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 서셉터 반도체의 수명을 연장시킵니다. 이러한 수명은 시간이 지남에 따라 비용 절감으로 이어지므로 Susceptor Semiconductor는 반도체 제조 시설에 대한 현명한 투자가 됩니다.