상단 반 달

Semicorex 어퍼 하프 달은 에피 택셜 가공 장비를 위해 세 심하게 설계된 반원형 웨이퍼 캐리어입니다. 에피 택셜 성장 공정에서 중요한 감수자 성분으로서,이 부분은 고온 화학 증기 증착 (CVD) 동안 실리콘 웨이퍼를지지하고 안정화하도록 설계되었습니다. 고급 흑연으로부터 제조되고 균일 한 실리콘 카바이드 (SIC) 코팅으로 보호 된 상단 반 달은 기계적 견고성, 우수한 열전도율 및 탁월한 내식성 저항을 결합하여 고정밀 에피 택시의 요구를 충족시킵니다.

이 제품은 단일 웨이퍼 또는 멀티 웨이퍼 에피 택셜 리액터의 특정 회전 플랫폼에 대해 제작 된 독특한 반달 지오메트리에서 이름을 유발합니다. 독특한 모양은 균일 한 가스 흐름과 열 분포를 용이하게 할뿐만 아니라 기존 가열 및 회전 어셈블리에 쉽게 통합 할 수 있습니다. 반원형 설계는 최적의 웨이퍼 포지셔닝을 보장하고, 열 응력을 최소화하며, 전체 웨이퍼 표면에서 균일 한 에피 택셜 필름 두께를 달성하는 데 중요한 역할을합니다.

상단 반 문 제품은 반복적 인 런에 대한 고장에 대한 저항과 결합 된 매우 높은 온도에서 안정적인 초산 구조의 결합 된 성능 이점으로 인해 초 미세 흑연의 기질을 포함합니다. 사용을 연장하기 위해, HCL, CL₂, Silane 및 기타 부식 공정 가스로부터 흑연 기판을 분리하는 화학 기상 증착 기술에 의해 고순도 밀도 SIC 코팅을 적용 하였다. 그럼에도 불구하고, SIC 코팅은 상단 반 달 제품과 전체 부품 모두에 더 내구성이 뛰어나고 확장 가능한 수명을 촉진하면서 웨이퍼 환경의 오염을 줄여서 궁극적으로 공정 수율과 필름 품질에 도움이됩니다.

SIC 층의 표면 마감은 지정되었으며 기판 및 일정한 필름 형성으로 일정한 열 전달을 촉진하기 위해 평평하거나 매끄럽다. 또한, SIC 코팅은 결함 민감성 반도체 응용의 핵심 요소 인 미립자 생성에 대한 성분 저항성을 향상시킨다. 1200 ° C 이상의 매우 낮은 외부 및 매우 낮은 변형을 포함한 성능 매개 변수는 매우 긴 작동주기에 효과적인 구성 요소를 제공하여 시스템 다운 타임 및 유지 보수 비용이 줄어 듭니다.

Semicorex 상반 반 달은 공차, 코팅 균일 성 및 재료 선택과 관련하여 2 위입니다. 우리는 흑연 가공에서 SIC 코팅의 증착 및 최종 검사에 이르기까지 모든 단계에서 엄격한 품질 관리를 유지하여 모든 장치가 반도체 등급 장비에 필요한 엄격한 표준을 충족하도록합니다. 또한, 형상, 두께 및 표면 처리에 대한 우리의 경험은 거의 모든 형태의 에피 택시 플랫폼에 적용되는 것으로 인식됩니다.

상단 반 달은 웨이퍼 안정성, 열 균일 성 및 실리콘 또는 화합물 반도체 에피 택시에 대한 오염 제어에 매우 중요합니다. 따라서 Semicorex는 비교할 수없는 전문 지식, 재료 기술 및 제조 일관성을 활용하여 신뢰할 수 있고 고성능 감수자 구성 요소에 대한 고객의 기대를 달성합니다.