가이드 링

Semicorex Guide Ring은 SIC (실리콘 카바이드) 단결정 성장 용광로의 중요한 구성 요소이며, 결정 성장 환경을 최적화하도록 설계되었습니다. 이 고성능 가이드 링은 고급 흑연에서 제조되며 최첨단 CVD (화학 증기 증착)를 특징으로합니다.탄탈 룸 카바이드 (TAC) 코팅. 이들 재료의 조합은 탁월한 내구성, 열 안정성 및 극한 화학 및 물리적 상태에 대한 내성을 보장한다.

재료 및 코팅

가이드 링의 기본 재료는 고온 전도도, 기계적 강도 및 고온에서의 안정성으로 선택된 고급 흑연입니다. 이어서, 흑연 기판은 고급 CVD 공정을 사용하여 탄탈 럼 탄화물의 조밀 한 균일 한 층으로 코팅된다. 탄탈 룸 카바이드는 탁월한 경도, 산화 저항 및 화학적 불활성으로 잘 알려져있어 가혹한 환경에서 작동하는 흑연 구성 요소에 이상적인 보호 층이됩니다.

GAN (Gallium nitride) 및 실리콘 카바이드 (SIC)로 대표되는 3 세대 와이드 밴드 갭 반도체 재료는 우수한 광전성 변환 및 마이크로파 신호 전송 기능을 가지며 고주파, 고온, 고출력 및 방사선 내성 전자 장치의 요구를 충족시킬 수 있습니다. 따라서 새로운 세대 모바일 통신, 새로운 에너지 차량, 스마트 그리드 및 LED 분야에서 광범위한 응용 전망이 있습니다. 3 세대 반도체 산업 체인의 포괄적 인 개발은 시급히 핵심 핵심 기술, 장치 설계 및 혁신의 지속적인 발전, 수입 의존성 해상도에서 돌파구를 요구합니다.

실리콘 카바이드 웨이퍼 성장을 예로 들어, 열전대 재료의 흑연 재료 및 탄소-탄소 복합 재료는 2300 ℃에서 복잡한 대기 (SI, SIC₂, SI₂C) 공정을 충족시키기가 어렵다. 서비스 수명이 짧을뿐만 아니라 다른 부품이 1 ~ 10 용광로를 대체 할뿐만 아니라 고온에서 흑연의 침투 및 휘발은 탄소 포함과 같은 결정 결함을 쉽게 초래할 수 있습니다. 반도체 결정의 고품질 및 안정적인 성장을 보장하고 산업 생산 비용을 고려하기 위해, 초고 온도 부식성 세라믹 코팅은 흑연 부품의 표면에 준비되어 흑연 구성 요소의 수명을 연장하고 불순종 이동을 억제하며 결정 순도를 향상시킬 것입니다. 실리콘 카바이드의 에피 택셜 성장에서, 실리콘 카바이드 코팅 흑연 감수체는 일반적으로 단결정 기판을지지하고 가열하는데 사용된다. 서비스 수명은 여전히 ​​개선되어야하며 인터페이스의 실리콘 카바이드 퇴적물을 정기적으로 청소해야합니다. 대조적으로,탄탈 룸 카바이드 (TAC) 코팅부식성 대기와 고온에 더 저항력이 있으며, 이러한 SIC 결정의 "성장, 두께 및 품질"의 핵심 기술입니다.

SIC가 물리 증기 수송 (PVT)에 의해 제조 될 때, 종자 결정은 상대적으로 저온 구역에 있고, SIC 원료는 비교적 고온 구역 (2400 ℃ 이상)에있다. 원료는 식스시 (주로 Si, SiC₂, Si₂c 등을 함유 함)를 생성하고, 가스 상 재료는 고온 구역에서 저온 구역의 시드 결정으로 운반되고, 핵 생성 및 성장하여 단일 결정을 형성한다. 이 과정에 사용 된 열 필드 재료는 Crucible, Guide Ring 및 Seed Crystal Holder와 같은 고온에 저항력이 있어야하며 SIC 원료 및 SIC 단결정을 오염시키지 않아야합니다. TAC- 코팅 된 흑연 열 전계 재료를 사용하여 제조 된 SIC 및 ALN은 더 깨끗하며, 탄소 (산소, 질소), 가장자리 결함이 적고, 각 영역의 작은 저항력이 적고, 마이크로 포어 밀도 및 에칭 구덩이 밀도 (KOH 에칭 후)와 같은 불순물이 거의 없으며,이 결정의 품질을 크게 향상시킨다. 또한, TAC Crucible의 체중 감소 속도는 거의 0이고, 외관은 손상되지 않으며, 재활용 될 수 있으며, 이는 이러한 단결정 제조의 지속 가능성과 효율성을 향상시킬 수 있습니다.