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탄화규소 세라믹의 9가지 소결 기술 검토

탁월한 구조용 세라믹인 탄화규소(SiC)는 고온 강도, 경도, 탄성률, 내마모성, 열 전도성 및 내식성을 포함한 탁월한 특성으로 유명합니다. 이러한 특성으로 인해 고온 가마 가구, 버너 노즐, 열 교환기, 밀봉 링 및 슬라이딩 베어링의 전통적인 산업 용도부터 탄도 갑옷, 우주 거울, 반도체 웨이퍼 척과 같은 고급 응용 분야에 이르기까지 광범위한 응용 분야에 적합합니다. 그리고 핵연료 피복재.

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실리콘 카바이드 결정 성장로의 기술적 과제

실리콘 카바이드(SiC) 결정 성장로는 SiC 웨이퍼 생산의 초석입니다. 기존 실리콘 결정 성장로와 유사점을 공유하는 SiC 용해로는 재료의 극단적인 성장 조건과 복잡한 결함 형성 메커니즘으로 인해 고유한 문제에 직면해 있습니다. 이러한 과제는 크게 결정 성장과 에피택셜 성장이라는 두 가지 영역으로 분류될 수 있습니다.

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SiC 반도체 흑연 정제 기술

흑연은 뛰어난 열적, 전기적 특성으로 알려진 탄화규소(SiC) 반도체 생산에 필수적입니다. 이로 인해 SiC는 고전력, 고온 및 고주파 애플리케이션에 이상적입니다. SiC 반도체 제조에 있어 흑연은 우수한 열 전도성, 화학적 안정성, 열충격에 대한 저항성으로 인해 도가니, 히터 및 기타 고온 처리 부품에 널리 사용됩니다.

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GaN 결정 성장 방법

대형 GaN 단결정 기판을 생산할 때 HVPE는 현재 상용화를 위한 최선의 선택입니다. 그러나 성장된 GaN의 백 캐리어 농도는 정밀하게 제어할 수 없습니다.

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고순도 석영: 반도체 산업에 없어서는 안 될 소재

고순도 석영은 놀라운 물리적, 화학적 특성을 가지고 있습니다. 고유한 결정 구조, 모양 및 격자 변화는 고온 저항, 내식성, 내마모성, 낮은 열팽창 계수, 높은 절연성, 압전 효과, 공진 효과 및 고유한 광학 특성과 같은 탁월한 특성에 기여합니다. 이러한 특성은 전략 산업과 핵심 산업의 발전을 위한 대체할 수 없는 기초 자료가 됩니다.

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GaN 단결정

반도체 기술은 현대 문명의 중추 역할을 해 왔으며, 우리가 살고 일하고 세계와 상호 작용하는 방식을 근본적으로 변화시켰습니다. 이는 정보기술, 에너지, 통신, 헬스케어 등 다양한 분야에서 유례없는 발전을 가능하게 했습니다. 스마트폰과 컴퓨터에 전원을 공급하는 마이크로프로세서부터 의료 기기의 센서, 재생 에너지 시스템의 전력 전자 장치에 이르기까지 반도체는 지난 세기의 거의 모든 기술 혁신의 핵심입니다.

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