물리적 증기 수송법(PVT)을 통해 SiC 및 AlN 단결정을 성장시키는 과정에서 도가니, 종자정 홀더, 가이드 링과 같은 구성 요소가 중요한 역할을 합니다. SiC 제조 과정에서 종자결정은 상대적으로 낮은 온도 영역에 위치하는 반면, 원료는 2400°C를 초과하는 고온 영역에 위치합니다. 원료는 고온에서 분해되어 SiXCy(Si, SiC2, Si2C 및 기타 구성 요소 포함)를 형성합니다.
SiC 기판 소재는 SiC 칩의 핵심이다. 기판의 생산 공정은 다음과 같습니다: 단결정 성장을 통해 SiC 결정 잉곳을 얻은 후; 그런 다음 SiC 기판을 준비하려면 다듬기, 둥글게 하기, 절단, 연삭(얇게 하기)이 필요합니다. 기계 연마, 화학 기계 연마; 및 청소, 테스트 등 프로세스
최근 당사에서는 캐스팅 공법을 이용한 6인치 산화갈륨 단결정 개발에 성공하여 국내 업계 최초로 6인치 산화갈륨 단결정 기판 준비 기술을 보유했다고 발표했습니다.
탄화규소(SiC)는 탁월한 열적, 물리적, 화학적 안정성을 보유하고 기존 소재보다 뛰어난 특성을 나타내는 소재입니다. 열전도율은 84W/(m·K)로 구리보다 높을 뿐만 아니라 실리콘보다 3배나 높다. 이는 열 관리 애플리케이션에 사용할 수 있는 엄청난 잠재력을 보여줍니다.
빠르게 발전하는 반도체 제조 분야에서는 최적의 성능, 내구성 및 효율성을 달성하는 데 있어 아주 작은 개선이라도 큰 차이를 만들 수 있습니다. 업계에서 많은 화제를 불러일으키는 발전 중 하나는 흑연 표면에 TaC(탄탈륨 카바이드) 코팅을 사용하는 것입니다. 그런데 TaC 코팅이란 정확히 무엇이며, 반도체 제조사들이 이에 주목하는 이유는 무엇일까?
단결정 실리콘 성장 과정은 열 환경의 품질이 결정 품질과 성장 효율에 큰 영향을 미치는 열장 내에서 주로 발생합니다. 열장의 설계는 용광로 챔버 내에서 온도 구배와 가스 흐름 역학을 형성하는 데 중추적인 역할을 합니다. 또한 열장을 구성하는 데 사용되는 재료는 수명과 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.