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탄화규소(SiC) 세라믹 소재는 고온 강도, 강한 내산화성, 우수한 내마모성, 열 안정성, 낮은 열팽창 계수, 높은 열 전도성, 높은 경도, 열충격 저항, 화학적 부식 등 다양한 우수한 특성을 보유하고 있습니다. 저항. 이러한 특성으로 인해 SiC 세라믹은 자동차, 기계 및 화학 산업, 환경 보호, 우주 기술, 정보 전자 및 에너지와 같은 다양한 분야에서 점점 더 적용 가능해졌습니다. SiC 세라믹은 뛰어난 성능으로 인해 많은 산업 분야에서 대체할 수 없는 구조용 세라믹 소재가 되었습니다.

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정전척(ESC)이란?

반도체 제조에서는 식각 공정의 정밀도와 안정성이 무엇보다 중요합니다. 고품질 에칭을 달성하는 데 있어 중요한 요소 중 하나는 공정 중에 웨이퍼가 트레이에서 완벽하게 편평한지 확인하는 것입니다.

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GaN과 SiC: 공존인가 대체인가?

더 높은 전력 밀도와 효율성에 대한 추진은 데이터 센터, 재생 에너지, 가전제품, 전기 자동차, 자율 주행 기술을 비롯한 여러 산업 전반에 걸쳐 혁신의 주요 동인이 되었습니다. WBG(와이드 밴드갭) 소재 영역에서 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)는 현재 두 가지 핵심 플랫폼으로, 전력 반도체 혁신을 이끄는 중추적인 도구로 간주됩니다. 이러한 재료는 끊임없이 증가하는 전력 수요를 해결하기 위해 전력 전자 산업을 근본적으로 변화시키고 있습니다.

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열장이란 무엇입니까?

단결정 성장 분야에서는 결정 성장로 내의 온도 분포가 중요한 역할을 합니다. 일반적으로 열장이라고 불리는 이러한 온도 분포는 성장되는 결정의 품질과 특성에 영향을 미치는 중요한 요소입니다. 열장은 정적 및 동적의 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

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등방성 흑연 생산 기술

등방성 프레싱 기술은 등방성 흑연 제조에서 최종 제품의 성능을 크게 결정하는 중요한 공정입니다. 따라서 등방성 흑연 생산에 대한 포괄적인 연구와 최적화는 업계에서 여전히 중요한 초점으로 남아 있습니다.

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실리콘과 실리콘 카바이드 웨이퍼의 에칭 차이점 이해

탄화규소 세라믹을 위한 전문적인 준비 기술

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