반도체 제조 공정에서 웨이퍼는 칩 생산의 기초를 형성합니다. 이 중 더미 웨이퍼(Dummy Wafer)라고 불리는 특수한 형태의 웨이퍼는 장비의 안정성 확보와 생산비 관리에 중추적인 역할을 한다.
반도체 제조에서 이온 주입에는 고에너지 가속기를 사용하여 비소나 붕소와 같은 특정 불순물 원자를 실리콘 기판에 주입하는 작업이 포함됩니다.
이온 주입 후 어닐링은 반도체 소자 제조의 핵심 단계로 소자의 성능과 신뢰성에 영향을 미칩니다.
질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN)을 포함한 3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재는 뛰어난 전기적, 열적, 음향광학 특성을 나타냅니다. 이들 소재는 1세대와 2세대 반도체 소재의 한계를 해결해 반도체 산업을 획기적으로 발전시킨다.
n형 GAAFET 제조의 중요한 단계에는 내부 스페이서를 증착하고 실리콘 나노시트를 생성하고 채널을 방출하기 전에 SiGe:Si 스택의 고선택성 에칭이 포함됩니다.