TaC 코팅 상반달

Semicorex TaC 코팅 상부 하프문은 반도체 생산 영역에서 고효율 에피택셜 공정을 달성하기 위해 특별히 설계된 부품입니다. TaC 코팅 상부 하프문 부품은 에피택셜 반응기에 완벽하게 맞도록 설계되어 극한 조건에서 탁월한 내구성과 안정성을 제공합니다.

TaC 코팅은 고온에 대한 탁월한 저항성을 제공하므로 TaC Coating Upper Halfmoon은 에피택시 공정의 까다로운 열 환경에 이상적입니다. 이를 통해 일관된 성능과 수명이 보장되고 교체 빈도와 가동 중지 시간이 줄어듭니다. TaC 코팅 상부 하프문은 에피택셜 성장에 일반적으로 사용되는 부식성 가스 및 화학 물질을 견딜 수 있어 부품의 무결성을 보호하고 공정의 순도를 유지할 수 있습니다.

매끄럽고 균일한 TaC 코팅은 결함과 불순물을 최소화하여 에피택시층의 품질을 향상시킵니다. 이는 반도체 장치의 더 높은 수율과 우수한 전자 특성에 기여합니다. 내열성과 내화학성이 결합되어 TaC Coating Upper Halfmoon의 작동 수명이 연장되어 반도체 제조에서 높은 처리량과 효율성을 유지하기 위한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.

신청:

고온 화학 기상 증착(CVD) 공정

실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 질화물(GaN) 에피택시

기술 사양:

재질: 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅

온도 범위: 최대 2200°C

내화학성: HF, HCl 및 기타 부식성 가스에 탁월합니다.

치수: 특정 원자로 모델에 맞게 맞춤화 가능

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon은 효율성을 높이고 오염 위험을 줄인 고품질 에피택시 레이어를 달성하는 데 필수적인 구성 요소입니다. 첨단 소재 특성과 정밀한 엔지니어링 덕분에 반도체 산업의 귀중한 자산이 되어 차세대 전자 장치 생산을 지원합니다.