TaC 플레이트

Semicorex TaC 플레이트는 SiC(실리콘 카바이드) 에피택시 성장 공정의 까다로운 조건을 충족하도록 특별히 설계된 고성능 소재입니다. 흑연 베이스로 제작되고 탄탈륨 카바이드 층으로 코팅된 이 구성 요소는 탁월한 열 안정성, 내화학성 및 내구성을 제공하므로 SiC 결정 성장을 포함한 고급 반도체 제조 공정에 사용하기에 이상적입니다.TaC 코팅흑연 플레이트는 극한 환경에서도 견고하다는 점을 인정받아 전력 장치, RF 부품 및 기타 고성능 반도체 애플리케이션에 사용되는 고품질 SiC 웨이퍼 생산을 위해 설계된 장비의 중요한 부분입니다.

TaC 플레이트의 주요 특징

1. 탁월한 열전도율:

TaC 플레이트는 구조적 무결성을 손상시키지 않으면서 고온을 효과적으로 처리하도록 설계되었습니다. 흑연 고유의 열 전도성과 탄탈륨 탄화물의 추가 이점이 결합되어 SiC 에피택시 성장 공정 중에 열을 빠르게 발산하는 재료의 능력이 향상됩니다. 이 기능은 반응기 내에서 최적의 온도 균일성을 유지하여 고품질 SiC 결정의 일관된 성장을 보장하는 데 중요합니다.

2. 우수한 내화학성:

탄탈륨 카바이드는 특히 고온 환경에서 화학적 부식에 대한 내성으로 유명합니다. 이러한 특성으로 인해 TaC 플레이트는 SiC 에피택시에서 일반적으로 사용되는 공격적인 에칭제 및 가스에 대한 내성이 매우 높습니다. 이는 가혹한 화학 물질에 노출되는 경우에도 시간이 지나도 재료가 안정적이고 내구성을 유지하도록 보장하여 SiC 결정의 오염을 방지하고 생산 장비의 수명에 기여합니다.

3. 치수 안정성과 높은 순도:

그만큼TaC 코팅흑연 기판에 적용된 이 제품은 SiC 에피택시 공정 중에 탁월한 치수 안정성을 제공합니다. 이를 통해 극심한 온도 변화에도 플레이트의 모양과 크기가 유지되므로 변형 및 기계적 고장의 위험이 줄어듭니다. 또한 TaC 코팅의 고순도 특성은 성장 공정에 원치 않는 오염 물질이 유입되는 것을 방지하여 결함 없는 SiC 웨이퍼 생산을 지원합니다.

4. 높은 열충격 저항:

SiC 에피택시 공정에는 급격한 온도 변화가 수반되며, 이는 열 응력을 유발하고 덜 견고한 부품의 재료 고장을 초래할 수 있습니다. 그러나 TaC 코팅 흑연 플레이트는 열충격에 대한 저항력이 뛰어나 급격한 온도 변화에 노출되는 경우에도 성장 주기 전반에 걸쳐 안정적인 성능을 제공합니다.

5. 서비스 수명 연장:

SiC 에피택시 공정에서 TaC 플레이트의 내구성은 빈번한 교체 필요성을 크게 줄여 다른 소재에 비해 수명이 연장됩니다. 열 마모에 대한 높은 저항성, 화학적 안정성 및 치수 무결성이 결합된 특성으로 인해 작동 수명이 길어지고 반도체 제조업체가 비용 효율적인 선택을 할 수 있습니다.

SiC 에피택시 성장을 위해 TaC 플레이트를 선택하는 이유는 무엇입니까?

SiC 에피택시 성장을 위해 TaC 플레이트를 선택하면 다음과 같은 몇 가지 이점이 있습니다.

열악한 조건에서의 고성능: 높은 열 전도성, 내화학성 및 열충격 저항성이 결합된 TaC 플레이트는 가장 까다로운 조건에서도 SiC 결정 성장을 위한 안정적이고 내구성 있는 선택입니다.

향상된 제품 품질: TaC Plate는 정확한 온도 제어를 보장하고 오염 위험을 최소화함으로써 고성능 반도체 장치에 필수적인 결함 없는 SiC 웨이퍼를 달성하는 데 도움을 줍니다.

비용 효율적인 솔루션: 서비스 수명이 연장되고 빈번한 교체 필요성이 감소하여 TaC 플레이트는 반도체 제조업체를 위한 비용 효율적인 솔루션이 되어 전반적인 생산 효율성을 개선하고 가동 중지 시간을 줄입니다.

맞춤화 옵션: TaC 플레이트는 크기, 모양, 코팅 두께 측면에서 특정 요구 사항에 맞게 맞춤화할 수 있으므로 광범위한 SiC 에피택시 장비 및 생산 공정에 적용할 수 있습니다.

경쟁이 치열하고 위험이 큰 반도체 제조 세계에서 SiC 에피택시 성장에 적합한 재료를 선택하는 것은 최상급 웨이퍼 생산을 보장하는 데 필수적입니다. Semicorex 탄탈륨 카바이드 플레이트는 SiC 결정 성장 공정에서 탁월한 성능, 신뢰성 및 수명을 제공합니다. 뛰어난 열적, 화학적, 기계적 특성을 갖춘 TaC 플레이트는 전력 전자 장치, LED 기술 등을 위한 고급 SiC 기반 반도체 생산에 없어서는 안 될 구성 요소입니다. 가장 까다로운 환경에서 입증된 성능으로 인해 SiC 에피택시 성장에서 정밀도, 효율성 및 고품질 결과를 원하는 제조업체가 선택하는 소재입니다.