배럴 반응기의 Semicorex CVD 에피택셜 증착은 웨이퍼 칩의 에피시얼 레이어를 성장시키기 위한 내구성이 뛰어나고 안정적인 제품입니다. 고온 내산화성과 고순도 덕분에 반도체 산업에 사용하기에 적합합니다. 균일한 열 프로파일, 층류 가스 흐름 패턴 및 오염 방지 기능을 갖추고 있어 고품질 에픽시얼 레이어 성장을 위한 이상적인 선택입니다.
배럴 반응기 내 CVD 에피택셜 증착은 극한 환경에서 안정적인 성능을 제공하도록 설계된 고성능 제품입니다. 우수한 코팅 접착력, 고온 산화 저항성 및 내부식성으로 인해 열악한 환경에서 사용하기에 탁월한 선택입니다. 또한 균일한 열 프로파일, 층류 가스 흐름 패턴 및 오염 방지로 에픽시얼 레이어의 높은 품질을 보장합니다.
Semicorex에서는 고객에게 고품질의 비용 효율적인 제품을 제공하는 데 중점을 두고 있습니다. 배럴 반응기의 CVD 에피택셜 증착은 가격 우위를 가지고 있으며 많은 유럽 및 미국 시장으로 수출됩니다. 우리는 일관된 품질의 제품과 탁월한 고객 서비스를 제공하는 장기적인 파트너가 되는 것을 목표로 합니다.
배럴 반응기의 CVD 에피택셜 증착 매개변수
CVD-SIC 코팅 주요 사양 |
||
SiC-CVD 속성 |
||
결정 구조 |
FCC β상 |
|
밀도 |
g/cm ³ |
3.21 |
경도 |
비커스 경도 |
2500 |
입자 크기 |
μm |
2~10 |
화학적 순도 |
% |
99.99995 |
열용량 |
Jkg-1 K-1 |
640 |
승화 온도 |
℃ |
2700 |
굽힘 강도 |
MPa(RT 4점) |
415 |
영률 |
Gpa (4pt 굴곡, 1300℃) |
430 |
열팽창(C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
열전도율 |
(W/mK) |
300 |
배럴 반응기의 CVD 에피택시 증착 특징
- 흑연 기판과 탄화 규소 층은 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.
- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.
- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 결합 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.
- 흑연 기판과 탄화 규소 층 모두 높은 열 전도성과 우수한 열 분포 특성을 가지고 있습니다.
- 높은 융점, 고온 내 산화성, 내식성.