GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척

Semicorex GaN-on-Si Epi 웨이퍼 척은 반도체 제조에 필수적이며 증착, 에칭 및 리소그래피와 같은 중요한 공정에서 안정적이고 신뢰할 수 있는 지원을 가능하게 합니다. GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척은 효율적인 열 방출을 보장하고 웨이퍼 전체에 균일한 온도 분포를 유지하여 결함을 유발할 수 있는 열 구배를 방지합니다. GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척은 다양한 웨이퍼 크기와 처리 요구 사항을 수용할 수 있도록 다양한 크기와 구성으로 제공되므로 다양한 반도체 제조 요구 사항에 맞는 유연성을 제공합니다.

신청:

에피택셜 성장: GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척은 실리콘 기판에 고품질 GaN 층 성장을 위한 안정적인 플랫폼을 제공하며, GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척은 고성능 전자 및 광전자 장치에 필수적입니다.

에칭 및 증착: 장치의 원하는 구조적 및 전기적 특성을 달성하는 데 핵심인 균일한 재료 제거 또는 증착을 촉진합니다.

GaN-on-Si 에피 웨이퍼 척은 최첨단 GaN 기반 장치 생산을 목표로 하는 반도체 제조업체에 없어서는 안 될 도구로 정밀도, 안정성 및 내구성 측면에서 비교할 수 없는 성능을 제공합니다.