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실리콘 카바이드 발열체

고온 가열 분야에서는 극한 조건에서 정밀도와 신뢰성을 달성하는 것이 무엇보다 중요합니다. 이러한 과제를 해결하기 위해 가능한 것의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 소재와 디자인이 개발되었습니다. 이러한 발전 중 하나는 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 흑연 발열체입니다.

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CVD-SiC 코팅에 대한 온도의 영향

화학 기상 증착(CVD)은 항공우주, 전자, 재료 과학과 같은 산업 분야의 다양한 응용 분야에서 고품질 코팅을 생산하는 다용도 기술입니다. CVD-SiC 코팅은 고온 저항성, 기계적 강도, 뛰어난 내식성을 포함한 뛰어난 특성으로 잘 알려져 있습니다.

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탄탈륨 카바이드 코팅은 가장 높은 내열성을 지닌 여러 화합물 중 하나인 최대 4273°C의 융점을 갖는 중요한 고강도, 내부식성 및 화학적으로 안정적인 고온 구조 재료입니다. 이는 우수한 고온 기계적 특성, 고속 기류 정련에 대한 저항성, 내마모성 및 흑연 및 탄소/탄소 복합재와의 우수한 화학적 및 기계적 호환성을 갖추고 있습니다. 따라서 MOCVD 등 GaN LED 및 SiC 전력소자의 에피택셜 공정에서 TaC 코팅은 H2, HCl, NH3에 대한 내산성 및 내알칼리성이 우수하여 흑연 기판 소재를 완벽하게 보호하고 성장 환경을 정......

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AlN 결정 성장 방법

3세대 반도체 소재인 AlN은 중요한 청색광 및 자외선 소재일 뿐만 아니라 전자 장치 및 집적 회로의 중요한 패키징, 유전 분리 및 절연 재료이며 특히 고온 및 고전력 장치에 적합합니다. . 또한, AlN과 GaN은 우수한 열적 일치와 화학적 호환성을 가지며, GaN 에피택셜 기판으로 사용되는 AlN은 GaN 장치의 결함 밀도를 크게 줄이고 장치 성능을 향상시킬 수 있습니다.

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AlN 결정 성장용 TaC 코팅 도가니

3세대 반도체 재료인 AlN은 직접 밴드갭 반도체에 속하며 대역폭이 6.2eV이고 높은 열 전도성, 저항률, 항복 전계 강도, 우수한 화학적 및 열적 안정성을 갖추고 있으며 중요한 청색광, 자외선 재료일 뿐만 아니라 또는 전자 장치 및 집적 회로, 중요한 포장, 유전체 절연 및 절연 재료, 특히 고온 고전력 장치용. 또한, AlN과 GaN은 우수한 열적 일치와 화학적 호환성을 가지며, GaN 에피택셜 기판으로 사용되는 AlN은 GaN 장치의 결함 밀도를 크게 줄이고 장치 성능을 향상시킬 수 있습니다.

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LPE 장비

반도체 소자 제조 영역에서 결정 성장의 정밀한 제어는 고품질의 신뢰성 있는 소자를 달성하는 데 매우 중요합니다. 이 영역에서 중추적인 역할을 한 기술 중 하나는 액상 에피택시(LPE)입니다.

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실리콘 카바이드 발열체

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CVD 공법으로 TaC 코팅

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