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단열재

단결정 실리콘 성장 과정은 열 환경의 품질이 결정 품질과 성장 효율에 큰 영향을 미치는 열장 내에서 주로 발생합니다. 열장의 설계는 용광로 챔버 내에서 온도 구배와 가스 흐름 역학을 형성하는 데 중추적인 역할을 합니다. 또한 열장을 구성하는 데 사용되는 재료는 수명과 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.

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SiC 코팅 흑연 서셉터란 무엇입니까?

SiC 코팅 흑연 서셉터를 소개하려면 해당 응용 분야를 이해하는 것이 중요합니다. 장치를 제조할 때 일부 웨이퍼 기판에는 추가 에피택셜 레이어를 구축해야 합니다.

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탄화규소 기판 생산의 과제는 무엇입니까?

탄화규소(SiC)는 다이아몬드, 질화붕소 등 다른 경질 재료와 마찬가지로 높은 결합 에너지를 갖는 재료입니다. 그러나 SiC의 높은 결합 에너지로 인해 전통적인 용융 방법을 통해 잉곳으로 직접 결정화하는 것은 어렵습니다. 따라서 탄화규소 결정을 성장시키는 과정에는 기상 에피택시 기술이 사용됩니다.

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실리콘 카바이드 산업

탄화규소 산업에는 기판 생성, 에피택셜 성장, 장치 설계, 장치 제조, 패키징 및 테스트를 포함하는 일련의 프로세스가 포함됩니다. 일반적으로 탄화규소는 잉곳으로 생성되며, 이를 절단, 분쇄 및 연마하여 탄화규소 기판을 생성합니다.

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실리콘 카바이드(SiC)란 무엇입니까?

반도체 소재는 시간 순서에 따라 3세대로 나눌 수 있다. 게르마늄, 실리콘 및 기타 일반적인 단일 물질의 1세대로 집적 회로에 일반적으로 사용되는 편리한 스위칭이 특징입니다. 2세대 갈륨 비소, 인듐 인화물 및 기타 화합물 반도체는 주로 발광 및 통신 재료에 사용됩니다.

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탄화규소(SiC)는 우수한 물리화학적 특성으로 인해 전력 전자, 고주파 RF 장치 및 고온 내성 환경용 센서와 같은 분야에서 중요한 응용 분야를 가지고 있습니다. 그러나 SiC 웨이퍼 가공 중 슬라이싱 작업은 표면에 손상을 초래하며, 이를 처리하지 않고 방치할 경우 후속 에피택셜 성장 공정에서 확장되어 에피택셜 결함을 형성하여 장치 수율에 영향을 미칠 수 있습니다.

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탄화규소를 분쇄할 수 있나요?