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흑연보트 핵심기술 소개

Graphite Boat는 업계 기술 혁신의 최전선에 서 있으며 성능, 순도 및 수명을 향상시키도록 설계된 획기적인 발전 제품군을 갖추고 있습니다. 아래에서는 흑연 보트의 우수성을 정의하는 핵심 기술을 살펴보겠습니다.

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PVT 방법을 통한 고품질 SiC 결정 성장을 위한 다공성 흑연

탄화규소(SiC)는 반도체 기술 분야의 핵심 소재로 부상했으며, 다양한 전자 및 광전자 응용 분야에 매우 바람직한 탁월한 특성을 제공합니다. 고품질 SiC 단결정의 생산은 전력 전자 장치, LED 및 고주파 장치와 같은 장치의 성능을 향상시키는 데 중요합니다. 이 기사에서는 4H-SiC 단결정 성장을 위한 PVT(물리적 증기 수송) 방법에서 다공성 흑연의 중요성을 탐구합니다.

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흑연 성형의 3가지 방법

흑연 성형의 네 가지 주요 성형 방법은 압출 성형, 성형, 진동 성형 및 등압 성형입니다. 시중에 나와 있는 일반적인 탄소/흑연 재료의 대부분은 열간 압출 및 성형(냉간 또는 열간)에 의해 성형되며, 등방성 성형은 성형 성능이 뛰어난 방법입니다. 진동 성형은 일반적으로 중형 및 거친 구조 흑연을 제조하는 데 사용되며, 입자 크기는 0.5-2mm 사이이며 일반적으로 이중 구운 흑연화 제품이 지배적이며 밀도는 1.55-1.75kg/m3, 더 거친 입자, 더 거친 표면을 사용할 수 없습니다. 정밀 가공용. 주로 화학 산업 및 금속 제련에......

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등방성 흑연이란 무엇입니까?

특수 흑연은 탄소 질량 분율이 99.99% 이상인 흑연으로 "3대 흑연"(고강도, 고밀도, 고순도)이라고도 알려져 있습니다. 고강도, 고밀도, 고순도, 높은 화학적 안정성, 높은 열 및 전기 전도성, 고온 저항, 방사선 저항, 강력한 윤활 및 쉬운 가공이 특징입니다. 등방성 흑연은 특수 흑연에 속합니다.

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물리적 증기 수송(PVT) 소개

SiC 자체의 특성으로 인해 단결정 성장이 더 어려워집니다. 대기압에서 Si:C=1:1 액상이 없기 때문에 반도체 산업의 주류에서 채택한 보다 성숙한 성장 공정을 사용하여 보다 성숙한 성장 방법인 직선 당김 방법, 하강 도가니를 성장시킬 수 없습니다. 성장 방법 및 기타 방법. 이론적 계산을 통해 압력이 105atm보다 크고 온도가 3200℃보다 높은 경우에만 Si:C = 1:1 용액의 화학량론적 비율을 얻을 수 있습니다. pvt 방법은 현재 주류 방법 중 하나입니다.

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850V 고전력 GaN HEMT 에피택셜 제품 출시

2023년 11월 Semicorex는 고전압, 고전류 HEMT 전력 장치 애플리케이션을 위한 850V GaN-on-Si 에피택셜 제품을 출시했습니다. HMET 전력 장치용 다른 기판과 비교하여 GaN-on-Si는 더 큰 웨이퍼 크기와 더 다양한 애플리케이션을 가능하게 하며, 팹의 주류 실리콘 칩 프로세스에 빠르게 도입될 수도 있습니다. 이는 전력 수율을 향상시키는 고유한 이점입니다. 장치.

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