최근 2024년 노벨 물리학상 발표로 인공지능 분야가 전례 없는 관심을 불러일으켰습니다.
반도체 재료의 고유한 특성 중 하나는 전도도 유형(N형 또는 P형)뿐만 아니라 전도도를 도핑이라는 프로세스를 통해 생성하고 제어할 수 있다는 것입니다. 여기에는 도펀트라고 알려진 특수 불순물을 재료에 도입하여 웨이퍼 표면에 접합부를 형성하는 작업이 포함됩니다. 업계에서는 열 확산과 이온 주입이라는 두 가지 주요 도핑 기술을 사용합니다.
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 칩 제조에 널리 사용되는 기술입니다. 플라즈마 내 전자의 운동 에너지를 활용해 기상에서 화학 반응을 활성화함으로써 박막 증착이 가능합니다.
SiC 기판은 탄화규소 산업에서 가장 중요한 구성 요소로 그 가치의 거의 50%를 차지합니다. SiC 기판이 없으면 SiC 장치를 제조하는 것이 불가능하므로 이를 필수 소재 기반으로 만듭니다.
더미 웨이퍼(Dummy Wafer)는 웨이퍼 제조 공정 중 기계 장비를 채우는 데 주로 사용되는 특수 웨이퍼입니다.
질화갈륨(GaN)에는 다양한 유형이 있으며, 실리콘 기반 GaN이 가장 많이 논의됩니다. 이 기술에는 실리콘 기판에 GaN 재료를 직접 성장시키는 것이 포함됩니다.