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탄소 기반 소재 표면의 TaC 코팅 연구 진행

흑연, 탄소섬유, 탄소/탄소(C/C) 복합재 등의 탄소 기반 소재는 높은 비강도, 높은 비계수, 우수한 열적 특성으로 알려져 있어 광범위한 고온 응용 분야에 적합합니다. . 이러한 재료는 항공우주, 화학공학, 에너지 저장 분야에서 널리 활용됩니다. 그러나 고온 환경에서 산화 및 부식에 대한 민감성과 열악한 긁힘 저항성으로 인해 추가 적용이 제한됩니다.

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질화갈륨(GaN) 기판의 용도는 무엇입니까?

질화갈륨(GaN)은 탁월한 전자적 및 광학적 특성으로 잘 알려진 반도체 기술의 중요한 소재입니다. GaN은 광대역 밴드갭 반도체로서 밴드갭 에너지가 약 3.4eV이므로 고전력 및 고주파수 애플리케이션에 이상적입니다.

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탁월한 구조용 세라믹인 탄화규소(SiC)는 고온 강도, 경도, 탄성률, 내마모성, 열 전도성 및 내식성을 포함한 탁월한 특성으로 유명합니다. 이러한 특성으로 인해 고온 가마 가구, 버너 노즐, 열 교환기, 밀봉 링 및 슬라이딩 베어링의 전통적인 산업 용도부터 탄도 갑옷, 우주 거울, 반도체 웨이퍼 척과 같은 고급 응용 분야에 이르기까지 광범위한 응용 분야에 적합합니다. 그리고 핵연료 피복재.

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실리콘 카바이드 결정 성장로의 기술적 과제

실리콘 카바이드(SiC) 결정 성장로는 SiC 웨이퍼 생산의 초석입니다. 기존 실리콘 결정 성장로와 유사점을 공유하는 SiC 용해로는 재료의 극단적인 성장 조건과 복잡한 결함 형성 메커니즘으로 인해 고유한 문제에 직면해 있습니다. 이러한 과제는 크게 결정 성장과 에피택셜 성장이라는 두 가지 영역으로 분류될 수 있습니다.

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SiC 반도체 흑연 정제 기술

흑연은 뛰어난 열적, 전기적 특성으로 알려진 탄화규소(SiC) 반도체 생산에 필수적입니다. 이로 인해 SiC는 고전력, 고온 및 고주파 애플리케이션에 이상적입니다. SiC 반도체 제조에 있어 흑연은 우수한 열 전도성, 화학적 안정성, 열충격에 대한 저항성으로 인해 도가니, 히터 및 기타 고온 처리 부품에 널리 사용됩니다.

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GaN 결정 성장 방법

대형 GaN 단결정 기판을 생산할 때 HVPE는 현재 상용화를 위한 최선의 선택입니다. 그러나 성장된 GaN의 백 캐리어 농도는 정밀하게 제어할 수 없습니다.

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