RTP 흑연 캐리어 플레이트

Semicorex의 RTP 흑연 캐리어 플레이트는 에피택셜 성장 및 웨이퍼 핸들링 처리를 포함한 반도체 웨이퍼 처리 응용 분야를 위한 완벽한 솔루션입니다. 당사 제품은 우수한 내열성과 열 균일성을 제공하도록 설계되어 에피택시 서셉터가 높은 내열성과 내식성을 갖춘 증착 환경에 노출되도록 보장합니다.

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제품 설명

Our product features high-purity SiC-coated graphite, which offers excellent heat distribution properties, ensuring that the SiC-coated carrier has a smooth surface, free from cracks and delamination. Our RTP Graphite Carrier Plate is finely silicon carbide coated, ensuring that the surface is smooth and free from any defects. This product is highly durable against harsh chemical cleaning and is designed to ensure that cracks and delamination do not occur.
우리는 경쟁사가 따라올 수 없는 가격 우위를 제공하며 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기 위해 최선을 다하고 있습니다.
당사의 RTP 흑연 캐리어 플레이트를 사용하면 탁월한 성능, 우수한 내열성 및 열 균일성을 보장할 수 있습니다. SiC 코팅 캐리어는 고온을 견딜 수 있도록 설계되었으며 화학적 세척에 대한 저항력이 뛰어나 수년 동안 지속됩니다. 우리 제품은 또한 사용하기 쉽도록 설계되어 신규 사용자와 숙련된 사용자 모두에게 이상적입니다.
Semicorex에서는 고객에게 고품질 제품과 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리는 최고의 재료만을 사용하며, 우리 제품은 최고 수준의 품질과 성능을 충족하도록 설계되었습니다. 당사의 RTP 흑연 캐리어 플레이트도 예외는 아닙니다. 귀하의 반도체 웨이퍼 처리 요구 사항에 대해 당사가 어떻게 도움을 드릴 수 있는지 자세히 알아보려면 지금 당사에 문의하십시오.

RTP 흑연 캐리어 플레이트의 매개변수

CVD-SIC 코팅 주요 사양
SiC-CVD 속성
결정 구조	FCC β상
밀도	g/cm ³	3.21
경도	비커스 경도	2500
입자 크기	μm	2~10
화학적 순도	%	99.99995
열용량	Jkg-1 K-1	640
승화 온도	℃	2700
굽힘 강도	MPa(RT 4점)	415
영률	Gpa (4pt 굴곡, 1300℃)	430
열팽창(C.T.E)	10-6K-1	4.5
열전도율	(W/mK)	300