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에피택셜 성장용 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트

에피택셜 성장용 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트

에피택셜 성장용 Semicorex SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트는 반도체 웨이퍼 처리 애플리케이션을 위한 완벽한 솔루션입니다. 흑연, 세라믹 등의 표면에 MOCVD로 처리된 고품질 탄소 흑연 서셉터와 석영 도가니가 있는 이 제품은 웨이퍼 핸들링 및 에피택셜 성장 처리에 이상적입니다. SiC 코팅 캐리어는 높은 열전도율과 우수한 열 분산 특성을 보장하므로 RTA, RTP 또는 가혹한 화학 세정을 위한 신뢰할 수 있는 선택입니다.

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제품 설명

에피택셜 성장을 위한 당사의 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트는 가장 까다로운 증착 환경 조건을 견디도록 설계되었습니다. 내열성 및 내식성이 뛰어난 에피택시 서셉터는 에피택셜 성장을 위한 완벽한 증착 환경에 노출됩니다. 캐리어의 미세 SiC 크리스탈 코팅은 매끄러운 표면과 화학적 세척에 대한 높은 내구성을 보장하며, 재료는 균열 및 박리를 방지하도록 설계되었습니다.
에피택셜 성장용 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트에 대해 자세히 알아보려면 지금 당사에 문의하십시오.


에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 RTP 캐리어 플레이트의 특징

고순도 SiC 코팅 흑연
우수한 내열성 및 열 균일성
매끄러운 표면을 위해 코팅된 미세 SiC 크리스탈
화학 세정에 대한 높은 내구성
균열 및 박리가 발생하지 않도록 재료가 설계되었습니다.





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