MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트

MOCVD용 Semicorex SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트는 우수한 내열성과 열 균일성을 제공하여 반도체 웨이퍼 처리 애플리케이션을 위한 완벽한 솔루션입니다. 고품질 SiC 코팅 흑연을 사용하는 이 제품은 에피택셜 성장을 위한 가장 가혹한 증착 환경을 견디도록 설계되었습니다. 높은 열전도율과 우수한 열 분포 특성은 RTA, RTP 또는 가혹한 화학 세척에 대해 안정적인 성능을 보장합니다.

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제품 설명

MOCVD 에피택셜 성장용 MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트는 웨이퍼 처리 및 에피택셜 성장 처리를 위한 완벽한 솔루션입니다. 매끄러운 표면과 화학적 세척에 대한 높은 내구성으로 열악한 증착 환경에서도 안정적인 성능을 보장하는 제품입니다.
MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트의 재료는 균열 및 박리를 방지하도록 설계되었으며 우수한 내열성과 열 균일성은 RTA, RTP 또는 가혹한 화학 세정에 대해 일관된 성능을 보장합니다.
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MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양
SiC-CVD 속성
결정 구조	FCC β 단계
밀도	g/cm ³	3.21
경도	비커스 경도	2500
입자 크기	μm	2~10
화학적 순도	%	99.99995
열용량	J·kg-1·K-1	640
승화 온도	℃	2700
쇠약한 힘	MPa(RT 4점)	415
영률	GPA (4pt 굽힘, 1300â)	430
열팽창(C.T.E)	10-6K-1	4.5
열 전도성	(W/mK)	300