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MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트

MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트

MOCVD용 Semicorex SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트는 우수한 내열성과 열 균일성을 제공하여 반도체 웨이퍼 처리 애플리케이션을 위한 완벽한 솔루션입니다. 고품질 SiC 코팅 흑연을 사용하는 이 제품은 에피택셜 성장을 위한 가장 가혹한 증착 환경을 견디도록 설계되었습니다. 높은 열전도율과 우수한 열 분포 특성은 RTA, RTP 또는 가혹한 화학 세척에 대해 안정적인 성능을 보장합니다.

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제품 설명

MOCVD 에피택셜 성장용 MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트는 웨이퍼 처리 및 에피택셜 성장 처리를 위한 완벽한 솔루션입니다. 매끄러운 표면과 화학적 세척에 대한 높은 내구성으로 열악한 증착 환경에서도 안정적인 성능을 보장하는 제품입니다.
MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트의 재료는 균열 및 박리를 방지하도록 설계되었으며 우수한 내열성과 열 균일성은 RTA, RTP 또는 가혹한 화학 세정에 대해 일관된 성능을 보장합니다.
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MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


MOCVD용 SiC 흑연 RTP 캐리어 플레이트의 특징

고순도 SiC 코팅 흑연
우수한 내열성 및 열 균일성
매끄러운 표면을 위해 코팅된 미세 SiC 크리스탈
화학 세정에 대한 높은 내구성
균열 및 박리가 발생하지 않도록 재료가 설계되었습니다.





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