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LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터

LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터

LPE 에피택셜 성장을 위한 Semicorex SiC 코팅 배럴 서셉터는 장기간에 걸쳐 일관되고 안정적인 성능을 제공하도록 설계된 고성능 제품입니다. 균일한 열 프로필, 층류 가스 흐름 패턴 및 오염 방지 기능을 통해 웨이퍼 칩의 고품질 에피택셜 레이어를 성장시키는 데 이상적인 선택입니다. 맞춤화 가능성과 비용 효율성으로 인해 시장에서 경쟁력이 매우 높은 제품입니다.

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제품 설명

LPE 에피택셜 성장을 위한 당사의 SiC 코팅 배럴 서셉터는 가격 대비 뛰어난 가치를 제공하는 신뢰할 수 있는 고품질 제품입니다. 고온 내산화성, 균일한 열 프로필 및 오염 방지 기능 덕분에 웨이퍼 칩의 고품질 에피택셜 층 성장에 이상적인 선택이 됩니다. 유지 관리 요구 사항이 적고 맞춤화가 가능하므로 시장에서 경쟁력이 매우 높은 제품입니다.

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LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터의 매개변수

CVD-SIC 코팅 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β상

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

Jkg-1 K-1

640

승화 온도

2700

굽힘 강도

MPa(RT 4점)

415

영률

Gpa (4pt 굴곡, 1300℃)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열전도율

(W/mK)

300


LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터의 특징

- 흑연 기판과 탄화 규소 층은 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.

- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 결합 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.

- 흑연 기판과 탄화 규소 층 모두 높은 열 전도성과 우수한 열 분포 특성을 가지고 있습니다.

- 높은 융점, 고온 내 산화성, 내식성.




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