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LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터

LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터

LPE 에피택셜 성장용 Semicorex SiC 코팅 배럴 서셉터는 장기간에 걸쳐 일관되고 신뢰할 수 있는 성능을 제공하도록 설계된 고성능 제품입니다. 균일한 열 프로필, 층류 가스 흐름 패턴 및 오염 방지로 인해 웨이퍼 칩의 고품질 에피택시층 성장에 이상적인 선택입니다. 맞춤형 기능과 비용 효율성으로 인해 시장에서 매우 경쟁력 있는 제품입니다.

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제품 설명

LPE 에피택셜 성장을 위한 당사의 SiC 코팅 배럴 서셉터는 뛰어난 비용 대비 가치를 제공하는 고품질의 신뢰할 수 있는 제품입니다. 고온 내산화성, 균일한 열 프로필 및 오염 방지로 인해 웨이퍼 칩의 고품질 에피택시층 성장에 이상적인 선택입니다. 유지 보수 요구 사항이 적고 사용자 정의가 가능하여 시장에서 매우 경쟁력 있는 제품입니다.

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LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


LPE Epitaxial Growth를 위한 SiC Coated Barrel Susceptor의 특징

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.

- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 접착 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 열전도율이 높고 열분산 특성이 우수합니다.

- 고융점, 고온 내산화성, 내식성.




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