LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터

LPE 에피택셜 성장을 위한 당사의 SiC 코팅 배럴 서셉터는 뛰어난 비용 대비 가치를 제공하는 고품질의 신뢰할 수 있는 제품입니다. 고온 내산화성, 균일한 열 프로필 및 오염 방지로 인해 웨이퍼 칩의 고품질 에피택시층 성장에 이상적인 선택입니다. 유지 보수 요구 사항이 적고 사용자 정의가 가능하여 시장에서 매우 경쟁력 있는 제품입니다.

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LPE 에피택셜 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터의 파라미터

LPE Epitaxial Growth를 위한 SiC Coated Barrel Susceptor의 특징

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.

- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 접착 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 열전도율이 높고 열분산 특성이 우수합니다.

- 고융점, 고온 내산화성, 내식성.