높은 융점, 내산화성 및 내식성을 갖춘 Semicorex SiC 코팅 LPE 결정 성장 서셉터는 단결정 성장 응용 분야에 사용하기에 이상적인 선택입니다. 실리콘 카바이드 코팅은 우수한 평탄도 및 열 분포 특성을 제공하여 고온 환경에 이상적인 선택입니다.
Semicorex SiC-Coated LPE Crystal Growth Susceptor는 뛰어난 열전도율과 열 분포 특성 덕분에 반도체 웨이퍼의 에피셜 층 형성을 위한 완벽한 선택입니다. 고순도 SiC 코팅은 가장 까다로운 고온 및 부식성 환경에서도 탁월한 보호 기능을 제공합니다.
당사의 SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터는 최상의 층류 가스 흐름 패턴을 달성하도록 설계되어 균일한 열 프로필을 보장합니다. 이는 오염이나 불순물 확산을 방지하여 웨이퍼 칩에서 고품질 에피택셜 성장을 보장합니다.
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SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터의 파라미터
CVD-SIC 코팅의 주요 사양 |
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SiC-CVD 속성 |
||
결정 구조 |
FCC β 단계 |
|
밀도 |
g/cm ³ |
3.21 |
경도 |
비커스 경도 |
2500 |
입자 크기 |
μm |
2~10 |
화학적 순도 |
% |
99.99995 |
열용량 |
J·kg-1·K-1 |
640 |
승화 온도 |
℃ |
2700 |
쇠약한 힘 |
MPa(RT 4점) |
415 |
영률 |
GPA (4pt 굽힘, 1300â) |
430 |
열팽창(C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
열 전도성 |
(W/mK) |
300 |
SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터의 특징
- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.
- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.
- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 접착 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.
- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 열전도율이 높고 열분산 특성이 우수합니다.
- 고융점, 고온 내산화성, 내식성.