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SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터

SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터

높은 융점, 내산화성 및 내식성을 갖춘 Semicorex SiC 코팅 LPE 결정 성장 서셉터는 단결정 성장 응용 분야에 사용하기에 이상적인 선택입니다. 실리콘 카바이드 코팅은 우수한 평탄도 및 열 분포 특성을 제공하여 고온 환경에 이상적인 선택입니다.

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제품 설명

Semicorex SiC-Coated LPE Crystal Growth Susceptor는 뛰어난 열전도율과 열 분포 특성 덕분에 반도체 웨이퍼의 에피셜 층 형성을 위한 완벽한 선택입니다. 고순도 SiC 코팅은 가장 까다로운 고온 및 부식성 환경에서도 탁월한 보호 기능을 제공합니다.

당사의 SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터는 최상의 층류 가스 흐름 패턴을 달성하도록 설계되어 균일한 열 프로필을 보장합니다. 이는 오염이나 불순물 확산을 방지하여 웨이퍼 칩에서 고품질 에피택셜 성장을 보장합니다.

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SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터의 파라미터

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


SiC 코팅된 LPE 결정 성장 서셉터의 특징

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 밀도가 좋으며 고온 및 부식성 작업 환경에서 우수한 보호 역할을 할 수 있습니다.

- 단결정 성장에 사용되는 탄화 규소 코팅 서셉터는 표면 평탄도가 매우 높습니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이고 접착 강도를 효과적으로 향상시켜 균열 및 박리를 방지합니다.

- 흑연 기판과 실리콘 카바이드 층 모두 열전도율이 높고 열분산 특성이 우수합니다.

- 고융점, 고온 내산화성, 내식성.






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