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실리콘 받침대 보트
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실리콘 받침대 보트

Semicorex Silicon Pedestal Boat는 고온 산화, 확산 및 LPCVD 공정에서 정밀하고 안정적인 웨이퍼 지지를 위해 설계된 9N 초고순도 웨이퍼 캐리어입니다. 비교할 수 없는 재료 순도, 정밀 가공 및 입증된 신뢰성을 위해 Semicorex를 선택하십시오*

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제품 설명

Semicorex Silicon Pedestal Boat는 산화, 확산 및 LPCVD(저압 화학 기상 증착)와 같은 고온 반도체 공정을 지원하기 위해 고순도 및 정밀도로 설계된 초청정 웨이퍼 캐리어입니다. 이 웨이퍼 캐리어는 9N(99.9999999%)으로 만들어졌습니다.고순도 실리콘초청정 환경에서 웨이퍼 지지와 일관된 공정 제어를 위한 탁월한 청결도, 열팽창계수 안정성, 기계적 정밀도를 보장합니다.


반도체 장치의 기하학적 구조가 계속해서 축소됨에 따라 매우 깨끗하고 열적으로 호환되는 웨이퍼 처리 부품에 대한 수요가 이렇게 높아진 적은 없었습니다. Silicon Pedestal Boat는 1100°C에서 1250°C 사이에서 작동하는 고급 가열로 시스템에 사용되는 높은 치수 정확도와 비교할 수 없는 순도로 이러한 요구 사항을 충족합니다.


실리콘 보트 구조는 홈 바 모양, 홈 톱니 길이, 모양, 기울기 각도 및 총 웨이퍼 적재 용량을 포함한 고객 요구 사항을 충족하도록 맞춤 설정할 수 있습니다. 고온 실리콘 보트는 실리콘 웨이퍼의 접촉 손상을 효과적으로 줄여 공정 수율을 향상시킬 수 있습니다. 고온 "미끄럼 방지 타워" 설계는 지지 치아 끝 부분에서만 웨이퍼를 지지합니다. 실리콘은 탄화규소에 비해 상대적으로 덜 단단하여 웨이퍼의 기계적 손상을 줄여 격자 품질을 향상시키고 생산 비용을 효과적으로 절감합니다.


받침대 보트는 다음에서 이용 가능합니다.단결정 또는 다결정 실리콘비실리콘 재료와 관련된 오염 위험을 제거합니다. 플랫폼은 적극적으로 사용되는 웨이퍼와 동일한 화학 성분을 공유하므로 고온 공정 중 원치 않는 반응이나 이온 확산이 최소화됩니다. 재료 균질성은 반복되는 생산 주기를 통해 일관된 높은 웨이퍼 품질과 높은 장치 수율을 위해 입자와 금속 불순물의 물리적 특성을 크게 줄입니다.

Semicorex Silicon Pedestal Boat는 수직 지지 구조와 결합된 정밀하게 설계된 웨이퍼 슬롯을 갖추고 있어 가열 주기 동안 웨이퍼가 완벽하게 정렬되고 간격을 유지하도록 보장합니다. 치수 안정성이 탁월하여 받침대 보트가 극한의 온도에서도 휘거나 구부러지거나 이동하지 않도록 보장하여 각 웨이퍼에 우수한 온도와 가스 분포를 제공합니다. 이러한 치수 안정성은 산화 및 확산 중에 필름 두께 균일성에 즉각적이고 긍정적인 영향을 미치며 결함 수를 줄이고 공정 반복성을 향상시킵니다.


실리콘 받침대 보트의 주요 이점은 최적화된 기계적 및 열적 특성입니다. SiC나 석영에 비해 실리콘의 경도는 가열 팽창 시 웨이퍼 진동이나 움직임으로 인한 미세 스크래치 및 파티클 발생을 줄이는 데 도움이 됩니다. 이는 웨이퍼 표면의 무결성이 수율과 장치 성능에 중요한 역할을 하는 후면 민감형 웨이퍼의 경우 특히 그렇습니다.


받침대 보트는 열전도율이 좋고 열팽창 계수가 낮아 여러 번의 가열 및 냉각 주기로 모양과 구조적 건전성을 유지하면서 열 전달 특성을 제공합니다. 견고한 설계는 극한의 용광로 조건에서도 변형을 최소화하면서 긴 수명을 제공합니다.


Semicorex는 웨이퍼 직경, 슬롯 수, 받침대 높이 및 기하학적 변형을 포함한 다양한 장비 구성에 대한 맞춤형 설계를 제공합니다. 각 제품은 순도, 치수 측정, 열전도도 테스트 등을 검사하여 반도체 제조 공정에서 가장 높은 기준을 충족합니다.


Silicon Pedestal Boat는 산화 및 확산 공정뿐만 아니라 탁월한 온도 균일성과 오염 제어가 필요한 LPCVD 및 어닐링 응용 분야와도 호환됩니다. Silicon Pedestal Boat는 인젝터 튜브, 라이너 튜브, 웨이퍼 캐리어 등 다른 실리콘 용광로 구성 요소와 호환되어 처리 시스템 전체에서 재료와 열 일치를 유지합니다.


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