세라믹 웨이퍼 캐리어

Semicorex는 반도체 산업의 실리콘 카바이드 층에 중점을 둔 OEM 반도체 제조 도구 및 웨이퍼 처리 구성 요소를 위한 반도체 등급 세라믹을 제공합니다. 우리는 수년 동안 세라믹 웨이퍼 캐리어의 제조업체이자 공급업체였습니다. 우리의 제품은 좋은 가격 이점을 가지고 있으며 대부분의 유럽 및 미국 시장을 커버합니다. 우리는 중국에서 당신의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

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제품 설명

탄화 규소 세라믹 웨이퍼 캐리어는 부식에 대한 저항성이 우수하고 고온 및 열충격에 대한 저항성이 우수합니다. 또한 높은 탄성 계수는 뛰어난 치수 안정성을 제공합니다. 또한 세라믹 재료의 다공성이 없고 기공 밀도가 낮습니다.
우리는 고객의 요구 사항에 따라 모든 종류의 세라믹 웨이퍼 캐리어를 처리할 수 있습니다.

세라믹 웨이퍼 캐리어의 매개변수

기술 속성
색인	단위	값
재료명		반응 소결 실리콘 카바이드	압력이 없는 소결 실리콘 카바이드	재결정 실리콘 카바이드
구성		RBSiC	SSiC	R-SiC
부피 밀도	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
굴곡강도	MPa(kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
압축 강도	MPa(kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
경도	누프	2700	2800	/
끈기 깨기	MPa·m1/2	4.5	4	/
열 전도성	W/m.k	95	120	23
열팽창 계수	10^-6.1/°C	5	4	4.7
비열	줄/g 0k	0.8	0.67	/
공기 중 최대 온도	℃	1200	1500	1600
탄성계수	GPA	360	410	240

Semicorex는 Reaction sintered silicon carbide(RBSiC), Pressureless sintered silicon carbide(SSiC) 및 Recrystal silicon carbide(R-SiC)의 세 가지 형태로 Ceramic Wafer Carrier를 생산했습니다.

SSiC와 RBSiC의 차이점:

1. 소결 공정이 다릅니다. RBSiC는 저온에서 탄화규소에 자유 Si를 침투시키는 것으로, SSiC는 2100도에서 자연수축에 의해 형성된다.

2. SSiC는 더 매끄러운 표면, 더 높은 밀도 및 더 높은 강도를 가지고 있습니다. 더 엄격한 표면 요구 사항이 있는 일부 밀봉의 경우 SSiC가 더 좋습니다.

3. 다른 PH 및 온도에서 다른 사용 시간, SSiC는 RBSiC보다 깁니다.

세라믹 웨이퍼 캐리어의 특징

고순도 SiC 코팅 흑연
우수한 내열성 및 열 균일성
매끄러운 표면을 위해 코팅된 미세 SiC 크리스탈
화학 세정에 대한 높은 내구성
균열 및 박리가 발생하지 않도록 재료가 설계되었습니다.

실리콘 카바이드 세라믹스의 사용 가능한 모양

â 세라믹 막대/세라믹 핀/세라믹 플런저

â 세라믹 튜브 / 세라믹 부싱 / 세라믹 슬리브

â 세라믹 링/세라믹 와셔/세라믹 스페이서

â 세라믹 디스크

â 세라믹 플레이트/세라믹 블록