단결정 실리콘 평면 타겟

단결정 실리콘평면 타겟은 일반적으로 Czochralski 방법으로 제작된 단결정 실리콘 잉곳을 고정밀 절단 장비로 가공합니다. 고객 요구의 다양화를 충족시키기 위해 단결정 실리콘 평면 타겟을 존경하는 고객을 위해 원하는 모양으로 절단할 수 있습니다. 정밀한 연삭 및 연마 처리 기술은 대상 물질의 탁월한 표면 평탄도를 보장하여 박막 증착을 강력하게 보장합니다.

단결정 실리콘 평면 타겟은 필름 증착 공정 중에 코팅할 기판과 함께 진공 반응 챔버 내부에 배치됩니다. 단결정 실리콘 평면 타겟에 고에너지 이온이 충돌하면 표면의 실리콘 원자가 스퍼터링됩니다. 이러한 스퍼터링된 실리콘 원자는 기판 표면으로 이동하여 증착되어 결국 실리콘 박막을 형성합니다.

단결정 실리콘 평면 타겟은 박막 증착을 위한 재료 소스 역할을 합니다. 웨이퍼 표면에 증착된 모든 실리콘 원자는 단결정 실리콘 평면 타겟에서 유래합니다. 따라서 단결정 실리콘 평면 타겟의 품질은 증착된 박막의 순도, 균일성 및 기타 주요 특성을 직접적으로 결정합니다.

우수한 순도 특성은 단결정 실리콘 평면 타겟에 불순물이 박막을 오염시키는 것을 방지하는 능력을 부여합니다. 이는 반도체 장치의 전기적 성능을 크게 향상시킵니다. 박막의 균일성과 접착력이 향상되는 것은 스퍼터링 입자가 웨이퍼 표면에서 보다 규칙적으로 이동하고 증착될 수 있도록 하는 고도로 정렬된 결정 구조 덕분입니다. 평면 구조 설계는 대면적 및 고속 스퍼터링 요구 사항에 적합하며 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널과 같은 대규모 생산 시나리오에 적용 가능합니다.