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SiC 엔드 이펙터

SiC 엔드 이펙터

Semicorex는 중국 내 실리콘 카바이드 코팅 흑연 서셉터의 대규모 제조업체이자 공급업체입니다. 탄화규소층, 에피택시 반도체 등 반도체 산업에 주력하고 있습니다. 당사의 SiC 엔드 이펙터는 가격 경쟁력이 뛰어나며 많은 유럽 및 미국 시장을 포괄합니다. 우리는 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 기대하고 있습니다.

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제품 설명

Semicorex SiC End Effector는 SiC(실리콘 카바이드 코팅) 흑연으로 제작되며, 특정 등급의 고밀도 흑연에 CVD 공법으로 코팅을 적용하여 불활성 분위기에서 3000°C 이상의 고온로에서 작동할 수 있으며, 진공에서 2200°C.

당사의 SiC 엔드 이펙터는 최상의 층류 가스 흐름 패턴을 달성하도록 설계되어 열 프로파일의 균일성을 보장합니다. 이는 오염이나 불순물 확산을 방지하여 웨이퍼 칩의 고품질 에피택셜 성장을 보장합니다.

SiC 엔드 이펙터에 대해 자세히 알아보려면 지금 문의하세요.


SiC 엔드 이펙터의 매개변수

CVD-SIC 코팅 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β상

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

Jkg-1 K-1

640

승화 온도

2700

굽힘 강도

MPa(RT 4점)

415

영률

Gpa (4pt 굴곡, 1300℃)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열전도율

(W/mK)

300


SiC 엔드 이펙터의 특징

- 벗겨짐을 방지하고 모든 표면에 코팅을 보장합니다.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세한 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.

- 최상의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지




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