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SiC 엔드 이펙터

SiC 엔드 이펙터

Semicorex는 중국의 실리콘 카바이드 코팅 흑연 서셉터의 대규모 제조업체이자 공급업체입니다. 우리는 실리콘 카바이드 레이어 및 에피택시 반도체와 같은 반도체 산업에 중점을 둡니다. 우리의 SiC 엔드 이펙터는 좋은 가격 이점을 가지고 있으며 많은 유럽 및 미국 시장을 커버합니다. 우리는 중국에서 당신의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

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제품 설명

Semicorex SiC End Effector는 SiC(Silicon Carbide Coating) 흑연으로 만들어지며 코팅은 특정 등급의 고밀도 흑연에 CVD 방법으로 도포되어 불활성 분위기에서 3000 °C 이상의 고온 용광로에서 작동할 수 있으며, 진공에서 2200°C.

당사의 SiC 엔드 이펙터는 최고의 층류 가스 흐름 패턴을 달성하도록 설계되어 균일한 열 프로필을 보장합니다. 이는 오염이나 불순물 확산을 방지하여 웨이퍼 칩에서 고품질 에피택셜 성장을 보장합니다.

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SiC 엔드 이펙터의 매개변수

CVD-SIC 코팅의 주요 사양

SiC-CVD 속성

결정 구조

FCC β 단계

밀도

g/cm ³

3.21

경도

비커스 경도

2500

입자 크기

μm

2~10

화학적 순도

%

99.99995

열용량

J·kg-1·K-1

640

승화 온도

2700

쇠약한 힘

MPa(RT 4점)

415

영률

GPA (4pt 굽힘, 1300â)

430

열팽창(C.T.E)

10-6K-1

4.5

열 전도성

(W/mK)

300


SiC 엔드 이펙터의 특징

- 박리를 피하고 모든 표면에 코팅을 하십시오.

고온 내산화성: 최대 1600°C의 고온에서 안정적

고순도: 고온 염소화 조건에서 CVD 화학 기상 증착에 의해 만들어집니다.

내식성: 높은 경도, 조밀한 표면 및 미세 입자.

내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약.

- 최고의 층류 가스 흐름 패턴 달성

- 열 프로파일의 균일성 보장

- 오염이나 불순물 확산 방지




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