SiC ICP 에칭 플레이트

Semicorex SiC ICP 에칭 플레이트는 뛰어난 열전도율, 우수한 경도 및 놀라운 화학적 안정성을 제공하여 업계 요구 사항을 충족하므로 고급 반도체 제조에서 선호되는 선택입니다.

탄화규소는 반도체 제조에서 중요한 특성인 뛰어난 열 전도성으로 유명합니다. 이러한 특성 덕분에 SiC ICP 에칭 플레이트는 에칭 공정에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하여 최적의 작동 온도를 유지할 수 있습니다. 열을 효과적으로 관리함으로써 SiC ICP 에칭 플레이트는 과열 위험을 최소화하고 고전력 애플리케이션에서도 일관된 성능과 신뢰성을 보장합니다. 이러한 열 관리는 에칭 공정의 무결성을 유지하고 고품질 결과를 달성하는 데 필수적입니다.

SiC ICP Etching Plate의 또 다른 뛰어난 특징은 뛰어난 경도와 내마모성입니다. 가장 단단한 재료 중 하나인 탄화규소는 마모 및 기계적 마모에 대한 탁월한 저항성을 나타냅니다. 이러한 특성은 에칭 플레이트가 공격적인 화학적, 물리적 조건에 노출되는 플라즈마 에칭 환경에서 특히 중요합니다. SiC ICP 에칭 플레이트의 내구성은 서비스 수명 연장, 가동 중지 시간 감소, 유지 관리 비용 절감으로 이어져 대량 제조를 위한 비용 효율적인 솔루션이 됩니다.

열적 및 기계적 특성 외에도 SiC ICP 에칭 플레이트는 탁월한 화학적 안정성을 제공합니다. 탄화규소는 부식 및 화학적 공격에 대한 저항력이 뛰어나 열악한 화학적 환경에서도 구조적 무결성과 성능을 유지합니다. 화학적 분해에 대한 이러한 내성은 에칭 공정의 정밀도와 정확성을 유지하는 데 중요합니다. 에칭 플레이트의 무결성이 손상되면 제조 중인 반도체 장치에 결함이 발생할 수 있기 때문입니다.