SiC ICP 플레이트

Semicorex SiC ICP 플레이트는 탁월한 물리적, 화학적 특성으로 알려진 탄화규소로 제작됩니다. 견고한 특성으로 인해 열악한 반도체 공정 환경에서 중요한 요소인 열충격, 산화 및 부식에 대한 탁월한 저항성을 보장합니다. SiC 소재를 사용하면 플레이트의 수명이 크게 향상되어 교체 빈도가 줄어들고 생산 시설의 유지 관리 비용과 가동 중지 시간이 줄어듭니다.

SiC ICP 플레이트는 반도체 웨이퍼 제작의 기본인 플라즈마 에칭 및 증착 공정에서 중요한 역할을 합니다. 이러한 공정 중에 SiC ICP 플레이트의 높은 열 전도성과 안정성은 일관되고 정확한 에칭 및 증착 결과를 달성하는 데 필수적인 정밀한 온도 제어와 균일한 플라즈마 분포를 보장합니다. 이러한 정밀도는 점점 더 소형화되고 복잡해지는 반도체 장치를 생산하는 데 매우 중요하며, 사소한 편차라도 심각한 성능 문제로 이어질 수 있습니다.

SiC ICP 플레이트의 뛰어난 특징 중 하나는 뛰어난 기계적 강도입니다. 탄화규소 고유의 경도와 강성은 극한 조건에서도 뛰어난 구조적 무결성을 제공합니다. 이러한 견고성은 고강도 플라즈마 프로세스 중에 보다 안정적이고 신뢰할 수 있는 성능으로 해석되어 구성 요소 오류의 위험을 최소화하고 지속적이고 중단 없는 작동을 보장합니다. 또한, 기존 금속 소재에 비해 소재가 가볍기 때문에 취급 및 설치가 쉬워 작업 효율성이 더욱 향상됩니다.

물리적 특성 외에도 SiC ICP 플레이트는 탁월한 화학적 안정성을 제공합니다. 이는 반도체 식각 및 증착 환경에서 널리 퍼져 있는 반응성 플라즈마 종에 대해 뛰어난 저항성을 나타냅니다. 이러한 저항성은 플라즈마 공정에 사용되는 공격적인 화학 물질이 존재하는 경우에도 플레이트가 장기간에 걸쳐 무결성과 성능을 유지하도록 보장합니다. 결과적으로 SiC ICP 플레이트는 보다 깨끗한 처리 환경을 제공하여 반도체 웨이퍼의 오염 및 결함 가능성을 줄입니다.