SIC 수직 보트

Semicorex Sic 수직 보트는 수직 용광로 반도체 처리를위한 최고, 기계적 및 화학적 안정성을 제공하도록 설계 및 제조 된 조작 및 제조 된 조작 된 웨이퍼 캐리어입니다. 고순도로 건축실리콘 카바이드, 우리는 그것들이 수직 용광로 시스템에서 산화, 확산, LPCVD 및 어닐링으로 지적되는 매우 진보 된 웨이퍼 열 처리를위한 최상의 강도, 내구성 및 청결의 균형이라고 생각합니다.

수직 용광로 처리 환경에는 고온에서 반복 노출을 견딜 수있는 웨이퍼지지 시스템이 필요하며, 종종 1,200 ° C를 초과하며 오염 문제없이 immen면에서 안정적으로 유지됩니다. SIC 수직 보트는 재결정 또는 CVD 실리콘 카바이드의 고유 기계 및 열 특성으로 인해 이러한 상황에서 견고성이 뛰어납니다. 매우 낮은 열 팽창 계수는 빠른 열 사이클링으로 인해 최소한의 휘파지 또는 왜곡을 보장합니다. 또한, 높은 열전도율은 모든 웨이퍼에 걸쳐 가장 큰 국소 온도 균질성을 제공하며, 이는 층 두께, 도핑 프로파일 및 전기 성능의 웨이퍼-웨이퍼 일관성에 중요합니다. 반도체 산업에서 대량 제조의 중요한 측면.

전통적인 석영 보트와 비교할 때, SIC 수직 보트는 우수한 기계적 강도와 확장 된 서비스 수명을 제공합니다. 석영은 특히 공격적인 용광로 화학에서 시간이 지남에 따라 부서지기 쉬워지고 편차화되는 경향이있어 교체 비용과 잠재적 생산 중단이 높아집니다. 대조적으로, 실리콘 카바이드는 다양한 확산 및 LPCVD 공정에서 흔한 염소, HCL 또는 암모니아와 같은 부식성 가스에 장기간 노출 된 후에도 무결성을 유지합니다. 탁월한 마모 및 산화 저항은 입자 생성을 크게 감소시켜 오염 및 결함 형성으로부터 웨이퍼 표면을 보호하는 데 도움이됩니다.

SIC 수직 보트는 또한 초소형 가공 측면에서 상당한 이점을 제공합니다. 고순도 SIC 재료는 엄격한 근면하에 처리되어 반도체 장치의 작동 특성을 방해 할 수있는 식별 가능한 트레이스 오염 금속을 줄입니다. SIC 수직 보트 표면에는 마이크로 입자 흘림 가능성을 최소화하는 오른쪽 변형 기능으로 잘 마감됩니다. SIC 표면은 화학적으로 불활성이며 공정 가스와 반응하지 않으므로 오염이 덜 발생합니다. 이와 관련하여, SIC 수직 보트는 선의 프론트 엔드 (FEOL) 및 BEOL (Line of Line) 웨이퍼 처리 작업에 적합합니다.

SIC 수직 보트는 또한 설계 유연성을 제공합니다. 각각의 수직 보트는 다중 웨이퍼 직경 (150 mm, 200 mm 또는 300 mm 웨이퍼)을 수용하기 위해 설계에 특이적일 수 있으며 슬롯 및 간격을 사용하여 프로세스 요구 사항을 충족 할 수 있습니다. 정밀 가공 및 치수 제어는 적절한 웨이퍼 정렬 및 웨이퍼지지를 허용 할 수 있습니다. 로딩, 가공 및 하역 중 마이크로 스크래치 또는 응력 균열의 가능성을 최소화합니다. 또한, 특정 공정에 우수한 온도 균일 성 및 / 또는 더 적은 열 질량이 필요한 경우, 기계적 특성을 희생하지 않고 최적화 된 형상 및 슬롯 설계가 Sic 수직 보트 구성에 통합 될 수 있습니다.

또 다른 장점은 유지 보수 및 운영 효율성입니다. 엄격한 구성sic수직 보트는 교체 시간과 빈도를 줄여 가동 중지 시간 또는 소유 비용을 최소화합니다. SIC의 열 충격 저항은 더 짧은 가열 및 냉각 사이클을 가능하게하여 생산 라인에서 더 높은 처리량을 전달할 수 있도록합니다. SIC 수직 보트의 유지 보수 또는 청소도 매우 간단합니다. 이 재료는 산을 이용한 화학적 세정 및 고온 베이크 아웃과 같은 반도체 팹에서 흔히 볼 수있는 가장 기존의 습식 또는 드라이 클리닝 공정을 견딜 수 있습니다.

수율 개선, 오염 제어 및 공정의 안정성이 모든 중요성을 갖는이 정교한 반도체 제조 의이 현대 시대에는 SIC 수직 보트가 진정한 기술적 이점을 제공합니다. 수직 용광로 응용 분야의 물리적 및 화학적 문제를 잘 다루고 웨이퍼 무결성, 일관된 결과 및 장비의 더 긴 수명을 제공함으로써 전반적인 프로세스 최적화에 기여합니다.