SiC 웨이퍼 보트 캐리어

빠르게 진화하는 반도체 제조 환경, 특히 EV용 SiC 및 GaN 전력 장치 생산, 5G 인프라 및 재생 가능 에너지에서 웨이퍼 처리 하드웨어의 신뢰성은 타협할 수 없습니다. Semicorex SiC 웨이퍼 보트 캐리어는 고온, 고순도 환경에서 기존의 석영 및 흑연 구성 요소를 대체하도록 설계된 재료 공학의 정점을 나타냅니다.

실리콘 카바이드가 업계에서 선택되는 이유

반도체 노드가 줄어들고 웨이퍼 크기가 200mm(8인치)로 전환되면서 석영의 열적, 화학적 한계로 인해 병목 현상이 발생합니다. 당사의 SiC 웨이퍼 보트 캐리어는 다음을 사용하여 설계되었습니다.소결 실리콘 카바이드또는 CVD 코팅 SiC는 열 전도성, 기계적 강도 및 화학적 불활성의 고유한 조합을 제공합니다.

1. 탁월한 열 안정성

전통적인 재료는 확산과 어닐링에 필요한 극한의 온도에 노출되면 종종 "슬럼핑"이나 변형이 발생합니다. 당사의 SiC 웨이퍼 보트 캐리어는 1,600°C를 초과하는 온도에서도 구조적 무결성을 유지합니다. 이러한 높은 열 안정성은 웨이퍼 슬롯이 완벽하게 정렬된 상태를 유지하도록 보장하여 자동화된 로봇 이송 중에 웨이퍼 "덜거림"이나 걸림을 방지합니다.

2. 고순도 및 저오염

클린룸 환경에서 입자는 수율의 적입니다. 당사의 보트 캐리어는 독점적인 CVD(화학 기상 증착) 코팅 공정을 거칩니다. 이는 불순물 가스 방출을 막는 장벽 역할을 하는 조밀하고 비다공성 표면을 만듭니다. 당사의 캐리어는 금속 불순물 수준이 매우 낮기 때문에 실리콘이든 탄화규소든 웨이퍼가 중요한 고열 사이클 중에 교차 오염되지 않도록 보장합니다.

3. 일치된 CTE(열팽창 계수)

웨이퍼 응력과 슬립 라인의 주요 원인 중 하나는 캐리어와 웨이퍼 사이의 열팽창 불일치입니다. 당사의 SiC 보트는 SiC 웨이퍼와 밀접하게 일치하는 CTE로 설계되었습니다. 이러한 동기화는 급속 가열 및 냉각 단계(RTP) 동안 기계적 응력을 최소화하여 전체 다이 수율을 크게 향상시킵니다.

주요 기술 사양

고급 제조 분야의 응용

당사의 SiC 웨이퍼 보트 캐리어는 팹에서 가장 까다로운 "핫 존" 공정에 최적화되어 있습니다.

• LPCVD 및 PECVD: 화학적 전구체에 대한 높은 저항성은 보트의 성능 저하를 방지하여 일관된 프로세스 키트 수명을 보장합니다.
• 고온 산화: 석영과 달리 SiC는 실투되지 않으며 수천 사이클 동안 강도를 유지합니다.
• 확산 및 어닐링: 보트 전체에 걸쳐 우수한 열 균일성은 배치의 모든 웨이퍼가 정확히 동일한 열 프로필을 경험하도록 보장합니다.
• SiC 에피택시: SiC 기판에서 에피택셜 층을 성장시키는 데 필요한 열악한 환경을 견딜 수 있도록 특별히 설계되었습니다.

내구성과 비용 효율성의 만남

SiC 하드웨어에 대한 초기 투자는 석영보다 높지만 총 소유 비용(TCO)은 상당히 낮습니다. 당사의 캐리어는 수명이 길도록 제작되었으며, 기존 소재보다 수명이 5~10배 더 오래 지속되는 경우가 많습니다. 이는 부품 교체를 위한 도구 가동 중지 시간의 빈도를 줄이고 값비싼 웨이퍼 전체 배치를 망칠 수 있는 치명적인 보트 고장의 위험을 최소화합니다.

검증된 엔지니어링에 프로세스를 신뢰하세요

우리는 반도체 산업에서 "충분히 좋다"는 것만으로는 결코 충분하지 않다는 것을 알고 있습니다. 당사의 제조 공정에는 100% CMM 치수 검사와 진공 포장 전 고순도 초음파 세척이 포함됩니다.

200mm SiC 전력 장치 라인을 확장하든 레거시 150mm 프로세스를 최적화하든 당사 엔지니어링 팀은 특정 가열로 요구 사항에 맞게 슬롯 피치, 보트 길이 및 핸들 구성을 맞춤화할 수 있습니다.