SiC 웨이퍼 그라인딩 플레이트

SiC 웨이퍼 연삭판반도체 웨이퍼 표면 처리의 중요한 부분입니다. SiC 웨이퍼 연삭판은 탄화규소 미세 분말의 정밀한 배합과 최첨단 무압력 소결 공정을 활용하여 웨이퍼 표면에 효율적인 연삭 및 정밀 마무리를 제공하여 후속 반도체 제조 공정의 안정성과 수율을 근본적으로 보호합니다.

정확하고 효율적인 웨이퍼 표면 마무리를 핵심 기능으로 하는 SiC 웨이퍼 연삭 플레이트는 웨이퍼 표면과 안정적이고 제어 가능한 마찰을 달성합니다. 특정 비율의 연삭 또는 연마 유체와 결합하면 치핑, 미세 균열 및 가장자리 버와 같은 전처리로 인해 발생하는 다양한 표면 결함을 제거하는 시너지 효과가 있습니다. 또한 웨이퍼 두께와 총 두께 변화(TTV)에 대해 미크론 수준의 정밀한 제어를 달성할 수 있어 포토리소그래피 및 이온 주입과 같은 칩 제조의 후속 핵심 공정에 대해 우수한 표면 품질과 안정적인 치수 매개변수를 갖춘 고품질 웨이퍼 기판을 제공할 수 있습니다.

기본 성능:

1. 극도의 경도.

5.뛰어난 화학적 내식성.

3. 우수한 열팽창 계수.

4.뛰어난 열전도율.

5.뛰어난 화학적 내식성.

Semicorex는 소중한 고객에게 고급 맞춤형 서비스를 제공합니다. Semicorex는 고급 CNC 머시닝 센터를 사용하여 실리콘 카바이드 재료를 꼼꼼하고 정밀하게 가공하여 고객 사양에 맞는 특정 치수의 SiC 웨이퍼 연삭 플레이트를 만듭니다. 고품질 제품을 고객에게 제공하기 위해 Semicorex SiC 웨이퍼 연삭 플레이트는 공장을 떠나기 전에 치수 정확도, 강도, 경도 및 기타 성능 테스트와 같은 엄격한 품질 검사를 거쳐야 합니다.